IEEE国际电子器件会议(IEDM)日前在华盛顿举行，以色列Saifun Semiconductors Ltd.的首席执行官Boaz Eitan在会上展示了该公司的Quad NROM技术。该公司声称，这是第一种能够每单元存储四位的闪存技术(four-bits-per-cell flash)。
Saifun从1998年开始就提供每单元可存储两位的NROM技术授权。该公司表示，Quad NROM把存储容量提高了一倍，而且架构比较简单，需要的制造环节较少。Quad-NROM单元在单元的每端需要单独的阈值电压。它使用软件和纠错技术，以改善编程速度和避免位错。
此外，Quad NROM技术使最困难的制造环节减少了40%，从而提高了产品良率、质量和生产能力。但Saifun公司没有说这是与什么技术比较得到的结果。
该公司表示，该种闪存适合用于生产多芯片产品(multi-chip product)，因为多芯片产品中的任何一个裸片出现故障，都意味着内存子系统可能必须报废。
Saifun多年来一直在开发非易失性内存技术，并提供这些技术的授权。它提供授权的公司包括英飞凌(Infineon Technologies AG)和Spansion。11月，Saifun在美国纳斯达克成功IPO，上市第一天收盘上涨近50%。
