RFMD近日宣布在美国加利福尼亚举行的IEEE Radio and Wireless conference(IEEE射频无线会议)上展出其最新的两款射频开关——RF1200和RF1450。此次IEEE射频无线会议于元月9~11日举行。
RF1200和RF1450利用RFMD业界领先的GaAs生产工艺生产，并将进一步推进用于RFMD传送模块中的开关技术的发展。这些高性能开关有助于推出适用于多模GSM/WCDMA蜂窝手机、天线调谐器、IEEE802.11a/b/g WLAN和蜂窝基础设施等的前端器件。
RF1200为一款单刀双掷(SPDT)大功率开关，可满足WCDMA产品的所有线性要求，具有插入损耗低、控制电压低、杂散特性好等优点。RF1200采用0.5μm GaAs pHEMT工艺制成，采用2×2mm的无铅QFN封装，共有6个引脚。
RF1450为一款单刀四掷(SP4T)大功率开关，设计用于多模WCDMA产品，可提供极佳的线性性能。RF1450内含集成解码逻辑，仅需两路控制线便可实现开关控制。RF1450采用紧凑的3×3×0.6mm的无铅QFN封装，共有16个引脚。
RF1200具有以下特点：
- 插入损耗低，0.35dB@1GHz
- 隔离性能好，25dB@2.2 GHz
- 控制电压低，2.6V至5.0V
- 杂散波：-80dBc@1GHz
- 采用GaAs pHEMT工艺生产
RF1450具有以下特点：
- 插入损耗低，最大仅为0.60dB
- 隔离性能好，15dB@2.2GHz
- 控制电压低，2.6V至5.0V
- 杂散波：-75dBc@1GHz
- 采用GaAs pHEMT工艺生产
