IR高级销售副总裁曾海邦先生表示：“IR推出的此款芯片组可使D类音频设计的效率和面积优势更好地融入高性能的放大器中，从而在不影响音频性能的基础上大幅减少AB类设计所需的占板面积。特别可喜的是该集成电路还可极大地简化设计师的工作，只要用灵活的‘构建模块’ 方法就可以实现保护、死区时间设定和PWM调节，并只需简单更换MOSFET就可以轻松应付设计需求的改变。”
新型芯片形成的D类音频解决方案要比AB类设计方案的面积更小。例如，在100W的应用中，IRS2092 IC和IRF6645 DirectFET MOSFET可以减少60% 的占板面积，也比典型材料表减少20% 的器件数量。
IRS2092 音频IC 技术资料
新的音频驱动IC基于半桥拓扑构架，集成了D类设计实现所需的四个基本功能，其中包括误差放大器、PWM比较器、栅极驱动器和强大的保护电路。因此，这款紧凑型16引脚IC具有极高的抗噪性，可以降低开始和结束时的破音，同时极大地减少一些诸如过负载保护等非常复杂而又昂贵的设计工作。
IRS2092的主要功能包括：频率可达800kHz的模拟PWM调节器、具有自复位控制功能的可编程双向过电流保护（OCP）、欠压锁定保护（UVLO），以及可以扩展功率设计的可编程预置死区时间等。
数字音频MOSFET技术资料
该IC还备有丰富的数字音频MOSFET，可满足从50W到500W的输出功率。作为IR的IRFI4x 、IRFB422x 和DirectFET 系列的一部分，这些MOSFET都对音频性能的关键参数进行了优化，例如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。
IRAUDAMP5 参考设计
IRAUDAMP5 参考设计可加速开发和评估。在IRS2092 IC 和 IRF6645 DirectFET 功率 MOSFET 基础上，双通道设计采用120W半桥功率放大器，可以适用于不同功率和通道数，在正常工作环境下无需散热器。该设计在120W的MOSFET 级可实现96%的效率，在1kHz、60W、4Ω的条件下THD+N为0.005%（均为典型值） 。
IC 规格
| 产品编号 | 偏置电压 | 流入/流出电流 | VccRange (带 UVLO) | 最小/最大输出电压 | 可选择死区时间 | 逻辑兼容输入 |
| IRS2092(S)PBF | +/-100V | 1.2/1.0A | 10-18V | 10-18V | 25/45/75/105ns | 3.3/5.0V |
MOSFET 规格
| 产品编号 | 封装 | 最大额定电压 | 典型Rds(on) @10v | Id@Tc = 25°C | 典型Qg |
| IRF6645 | DirectFET SJ | 100V | 28mOhms | 25A | 14nC |
| IRF6665 | DirectFET SH | 100V | 53mOhms | 19A | 8.7nC |
| IRF6775M | DirectFET MZ | 150V | 47mOhms | 28A | 25nC |
| IRF6785M | DirectFET MZ | 200V | 85mOhms | 19A | 26nC |
| IRFB4227PBF | TO220-AB | 200V | 20mOhms | 65A | 70nC |
| IRFI4024H-117P | TO-220 Full-Pak 5P | 55V | 48mOhms | 11A | 8.9nC |
| IRFI4212H-117P | TO-220 Full-Pak 5P | 100V | 58mOhms | 11A | 12nC |
| IRFI4019H-117P | TO-220 Full-Pak 5P | 150V | 80mOhms | 8.7A | 13nC |
| IRFI4020H-117P | TO-220 Full-Pak 5P | 200V | 80mOhms | 9.1A | 19nC |
