该晶体管的操作电压为50V，与双极和MOSFET设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。
以高功率水平实现高增益，这大大减少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，最终使放大器成本全面降低。
这种晶体管在10-150MHz之间运行。它采用飞思卡尔第六代高电压(VHV6)LDMOS(横向扩散金属氧化物晶体管)技术，该产品组合2006年6月公布的50V VHV6 LDMOS设备系列，能够满足在频率高达450MHz的HF、VHF和UHF上操作ISM应用所需的要求。
MRF6VP11KH带来的好处已经超越了它作为商用LDMOS RF晶体管的地位。MRF6VP11KH提供65%的排放功率和高于27dB的增益，这样的效率水平能够大大减少放大器设计的复杂性、增益进阶、部件数量和电路板数量。
需要2kW脉冲输出功率和45dB增益的应用通常需要1个15W的预驱动器、2个15W的驱动器和8个终端放大器，此时还要使用MOSFET或双极设备，总共包括3个进阶和11台设备。但基于MRF6VP11KH的设计只需要3台设备。1个10W LDMOS驱动器和2个MRF6VP11KH终端放大器能够产生同等的输出功率和更高的50dB增益。
此外，对于给定功率水平，MRF6VP11KH使用50V偏置电压能够产生更高终端阻抗，这让设备更容易与放大器电路匹配。飞思卡尔符合RoHS的气泡封装热阻测评低于0.13℃/W qJC，可提供有效的热管理，并减少散热片尺寸。MRF6VP11KH带有集成静电放电(ESD)保护，因而除了在电子制造中看到的日常处理外，就不再需要特别的处理。
MRF6VP11KH连接飞思卡尔2006年推出的50V VHV6 LDMOS设备系列。已经投入生产的其它在10-450MHz运行的设备包括MRF6V2010N(10W CW、24dB增益和62%的效率)、MRF6V2150N(150W CW、25dB增益、68%的效率)和MRF6V2300N(300W CW、25.5%和68%的效率)。
