瑞晶半导体量产1Gb吓坏同行 明年DRAM业晴雨难定
据台湾媒体报道，台湾DRAM厂商瑞晶半导体举措惊人，在韩国三星电子推出1Gb颗粒后，也亮出绝招，采用72奈米制程大量生产1Gb产品，让业界哄动。
瑞晶大量产出1Gb，使得其它仍以512Mb为主轴的厂家坐立不安，压力扩现，目前有效测试颗粒(eTT)报价已跌破2美元。
瑞晶是由日系DRAM大厂尔必达(Elpida)与力晶所合资成立的，看好1Gb取代512Mb趋势，锁定生产1Gb DDR2颗粒，趁其它厂商还没弃分准备的情况下，攻其不备，大量生产
1Gb颗粒。10月1Gb颗粒产出数量还不到500万颗，11月却一口气拉升至约1,500万颗，由2家母公司尔必达和力晶各分得一半产出，后端封装业务则分别交由力成和日月鸿，瑞晶预计12月1Gb产出更将大幅拉升至2,000万颗，扩产速度之快，令DRAM同业相当吃惊。
台DRAM厂指出，2008年上半整个产业趋势将是各厂大量由512Mb转进1Gb容量，因此，随著1Gb DRAM大量产出，价格势必大幅滑落，加上2008年下半DDR2可望进一步转进到DDR3，2008年将是全球DRAM产业相当重要的变革年。
