美光科技(Micron Technology)近日推出一款新型存储设备，该产品专为低密度入门级移动电话而设计。
据介绍，通过在现有低成本的CellularRAM器件中加入附加功能，这款x16突发(burst)A/D多元pseudo-SRAM(PSRAM)能在基本功能手机设计中大幅降低制造商的成本。改进的CellularRAM器件作为一种有望取代传统SRAM的高性能多代(multi generational)存储器件，主要适用于采用新的单片微处理器设计的低成本手机。
该款x16 burst A/D多元PSRAM具有组合的地址和数据引脚，可用于读和写操作。通过将引脚数量减少30%以上，制造商可以简化其控制器的设计，从而全面降低系统成本。该新型PSRAM采用裸片形式，提供64Mb、32Mb和16Mb密度的配置。预计将于2006年第一季度量产。
