我国半导体分立器件：发展需要新思维
分立器件的发展史，尤其是被大量应用的二极管和三极管，令我想起了达尔文《物种起源》中“适者生存、物竞天择”的理论。虽然，把达尔文的生命理论应用在电子学不是完全正确的科学方法，但是我们可以用科学家那样不断求变的思维，从技术提升及发展新的应用范围来观察二、三极管的发展。
自古特里(Frederick Guthrie)在1873年发表二极管理论后，科技的发展可以说是一日千里。德褔雷斯特(Lee de Forest)于1908年将其真空二极管发明做专利注册，在之后的一百多年，我们见证了许多的突破性发展。今天,二、三极管的产品已经发展成一个全球营业额超过350亿美元的市场，占整体半导体市场的15%。中国作为世界工厂，在分立器件这个市场占据着举足轻重的地位：据保守估计，全球接近四分之三的产量来自中国大陆。
分立器件市场的发展，就像是一个生命，要它有良好的延续，素质是一个很重要的因素。将全球市场年产量以兆亿计，即使达到六西格玛 (6σ)的产品水平，还是有数以千万计的不良产品出现。为此，类似于安森美半导体这样的领先供应商已经把质量检测单位提升一千倍，从每一百万颗(ppm)优化为每十亿颗(ppb)。我们相信这不单为公司本身带来更大的市场优势，更为业界带来一种正面的推动力，产生一种良性互动的竞争。
分立器件趋向非标准化，更加配合应用发展
新型电子产品的发展令分立器件等标准产品趋向非标准化，而终端产品上市日程渐短，更讲究多功能特性和差异化，分立器件厂商更需预见市场和客户对新产品的需求，了解客户的系统应用，满足整机制造商的一站式购买需求。具体来看，器件厂商需要突破生产工艺，使分立器件的集成度不断提高；用先进的封装技术使产品尺寸不断减少；同时获得更高性能，达到便携产品“更小更强大”的发展目标。
就以安森美半导体为例，我们利用自身的高效IC电源|稳压器方案，不断提升分立器件的新技术平台，不再将所有的分立功率器件视为标准产品，进一步丰富广泛的分立产品系列基础业务，服务于快速增长的计算产品、便携式产品、数字消费产品市场，以及汽车产品、电源产品和工业产品传统市场。具体来看，这些努力包括对功率双极性、齐纳二极管、小信号晶体管、小信号二极管、TVS/ESD保护和整流器产品的不断改进，推向在MV MOSFET、HV MOSFET、LED驱动器、滤波器、智能沟道、智能功率和集成解决方案方面的创新和发展。
安森美半导体已从开发领先的产品迈向开发领先的方案。通过全盘了解客户要求，开发和设计客户需要的新器件产品；针对终端产品尺寸日益缩小，线路日趋复杂的趋势，凭借更先进的封装和硅性能，生产高质量、高可靠性的器件，解除消费者和客户的后顾之忧，满足对更高效率的要求。
安森美致力于发展封装更趋集成和小型化而性能更高的表面贴装分立器件。
为了配合便携产品的需求，安森美半导体致力于发展封装更趋集成和小型化而性能更高的表面贴装分立器件，如最新的SOD923超微封装ESD二极管和肖特基二极管。封装尺寸仅为1.0×0.6mm，高度为0.4mm，占位面积比现有通用封装减少38%，并提供业内最低的正向电压。主要面向要求高电源能效的消费电子和无线产品，提供业内占板空间最小的ESD保护。
TVS器件利用的是半导体的钳位原理，只要能够集成在小型封装里，就可以保证其可靠性。它基于二极管工作原理，受到电击后，会立即被击穿，然后关闭。但对IC器件没有损伤，因此可以说没有寿命限制。低钳位电压意味着可对IC提供更好的保护。TVS就好比耍太极，能将静电在几纳秒内泄掉。
而超低饱和电压VCE(sat)双极结晶体管(BJT)的特征为超低饱和电压(1安培下45毫伏)和高电流增益，具有大于8,000伏的出色ESD耐受性，可以在发生意外浪涌和损害的情况下进行自我保护。其电性能优越和温度系数低，提高了电源效率，并最终提高了电池电力保持能力。另外诸如热插拔保护SMART HotPlug等性能，均满足终端产品对于分立器件产品散热更好、功耗更低、电源能效更佳和集成度更高等要求。
