据EE Times网站报道，日本Ushio Inc.日前称其签署了一份意向书，计划和Koninklijke Philips Electronics NV和Jenoptik Laser Optik Systeme GmbH合作开发用于光刻设备的远紫外线（EUV）光源。Ushio表示，此次合作的目标是加速EUV光刻技术的发展并实现后ArF激光（post-ArF laser）沉浸技术。
此次合作具有非凡的意义，这几家公司控制了两家主要的EUV光源开发公司，Xtreme Technologies GmbH和Philips Extreme UV GmbH。然而目前已出货的只是实验性的设备，提高曝光能量以保证硅晶圆吞吐能力的必要性也正在被关注和考虑。
据悉，2005年8月份，Ushio从Aambda Physik AG处购入Xtreme Technologies GmbH 50％的股份。
目前，Xtreme的股份由Ushio和Jenoptik各持50％，该公司和Philips的全资子公司Philips Extreme UV GmbH同时开发基于气体放电原理的EUV光源并已出货。这两家公司在2006年至2007年向尖端客户们提供alpha设备，这些设备可以安装在各种扫描仪上，并可用于300mm晶圆的曝光。
Ushio表示，Xtreme和Philips Extreme UV的合作关系将加速试用设备的开发并最终保证商用EUV光源的开发和销售进程。
