english.yna.co.kr报道,此次研制出的金属线宽度仅仅为2纳米，由韩国首都首尔的Yonsei大学原子线研发中心所开发。
分析家指出，随着这种超薄金属线技术的面世，未来半导体产品将拥有更大的容量和更快的速度。据此次研究小组的12位科学家透露，通过此项技术，未来内存芯片的尺寸将会极大程度上被降低，而半导体篆刻工艺也将进入全新的2纳米时代。
目前为止，韩国三星旗下最为先进的16G内存仍然使用着50纳米设计标准。而业界目前所制定的目标，也只不过是成功过渡到25纳米技术而已。此项研究始于2003年，由韩国科技部所赞助，总耗费资金达到了214万美元。
