日本信息通信研究机构（NICT）与富士通研究所的研究小组试制出了截止频率达190GHz、最大振荡频率达到227～241GHz的GaN类HFET，据称这些特性达到了“世界最高水平”。NICT就此次的研究在2007年9月16～21日于美国拉斯维加斯举行的“ICNS-7”上进行了技术发表（演讲序号:DD7）。
此次能够使频率特性得以提高是因为将底板更换成了4H-SiC，提高了底板上形成的GaN类结晶的质量。此次的GaN类HFET采用在4H-SiC底板上按照GaN层、AlGaN层、作为绝缘层的SiN层依次层叠的构造。栅长为60nm，源极和漏极间的距离为2μm。该小组过去试制的GaN类HFET采用蓝宝石底板。而此次则采用了与蓝宝石底板相比，晶格常数及热膨胀系数更接近GaN类半导体的4H-SiC，从而提高了HFET的结晶质量。
其它规格为，漏极电流最大为1.6A/mm，跨导为424mS/mm 。耐压为30～40V。
