力晶(5346-TW下单)董事长黄崇仁今(12)日表示，今年以来DRAM景气持续低迷，尽管旺季下，DRAM价格仍持续滑落，目前512MB eTT颗粒现货价直逼1美元，看来跌势应已到谷底，预计第 4季到明年过年期间，DRAM价格将逐渐攀升。
他表示，DRAM景气每次低迷都昰一次产业淘汰赛，力晶以内存龙头厂南韩三星电子为学习对象，无论景气好坏，都一心一意持续投资，无论技术以及产能都将直追三星水平，也将会在产业淘汰赛中胜出。
黄崇仁说，此波DRAM价格直直落主因韩系厂商产能大幅扩充造成。他举例，以今年韩国 Hynix的位成长率高达120%，远大于台系厂商约70-80%左右。由于市场引景气企盼的微软新操作系统 Vista效益未完全发挥，以过去为例，预期要完全发酵约要两年时间，因此造成DRAM供给大过需求。
不过他认为，以目前DRAM价格已经会让许多不具成本效益的DRAM产能遭到淘汰，力晶以及瑞晶目前将全数转到70奈米，预计明年第 3季将主流制程再推进到60奈米，届时1GB的成本将与目前512MB成本相当，力晶成本效益将保持全球领先地位。
