Vishay宣布推出新系列P通道MOSFET，这些器件建立了Vishay每单位面积最低导通电阻的新记录。
基于新一代TrenchFET芯片技术的新型Vishay Siliconix器件采用PowerPAK SC-70封装(2.05mm×2.05mm)时最大导通电阻额定值为29毫欧，采用标准SC-70封装(2.0mm×2.1mm)时为80毫欧，采用SC-89封装(1.6mm×1.6mm)时为130毫欧。与市场上的MOSFET相比，这些新型Vishay Siliconix器件的规格表现了高达63%的改进。
这些新型P通道TrenchFET将用于手机、MP3 播放器、PDA及数码相机等便携式终端产品中的负载开关、PA开关及电池开关，在这些应用中，它们的低传导损失将有助于延长电池的运行时间，它们的微型封装将节省宝贵的板面空间，从而实现更多功能。
在便携式电子系统中，通过在显示器或功率放大器等功能不用时关闭它们，或将系统从活动模式切换到睡眠模式，P通道MOSFET执行基本功能，从而节省电池使用时间。执行这些切换任务时，这些新型Vishay Siliconix器件的功耗很低，因为它们超低的导通电阻额定值会直接体现成更低的导电损失。
日前推出的P通道TrenchFET包括具有-12V、-20V及-30V击穿电压额定值的单通道器件。这些器件采用6引脚SC-89、标准SC-70及PowerPAK SC-70封装，所有封装均无铅符合当今的环保要求。
目前，这些新型P通道TrenchFET功率MOSFET的样品和量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为12～14周。
