现代半导体（Hynix Semiconductor）公司宣称，日前该公司已获得PRAM(相变随机存储器)技术开发商Ovonyx专利授权，正式加入到由众多竞争对手组成的PRAM产品研发阵营中来。未来将由Ovonyx向现代半导体提供Ovonyx产品研发相关技术支持。
PRAM内存的处理速度远远快于闪存，理论上其写入数据速度是普通闪存芯片的30倍，保守也可达到10倍以上，而且尺寸也比闪存小很多，从而使未来高密度非易失性存储器以及功能更强大的电子设备的出现成为可能。
三星电子、IBM、奇梦达、意法半导体以及英特尔公司，都在积极进行PRAM存储产品的研发。
全球最大的存储芯片制造商三星公司称，PRAM产品的生产流程也比NOR flash产品简单许多，三星公司于去年开发出了512MB的PRAM产品，预计最早可在2008年实现量产。
此外，IBM与多家内存厂商合作，共同开发出一种新的PRAM产品，其运算速度达到了普通闪存的500倍，而且耗电量减半。这于便携式产品存储来说意义重大，因为用户不必再为自己的电池续航能力担忧。
IBM表示，目前此技术还停留在原形开发阶段，有望在2015年真正实现产品量产、用于消费类产品领域。
