东京理工大学和富士通微电子已经联合开发出用于新一代非易失性铁电随机存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FeRAM）的材料和工艺技术。 这种改进的铋、铁、氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO）能使FeRAM设备的数据存储容量提高到现在容量的五倍。
采用65nm工艺技术就可以将存储容量至少提高到256Mb，工作在1.3V电压下的功耗是现有产品的一半。
BFO是由铋、铁和氧原子构成的具有钙钛矿型结构的铁电材料。目前普遍使用的铁电材料是锆钛酸铅（PZT或Pb（Zr，Ti）O3），它的电荷存储能力低，可升级性有限。PZT的技术局限在130nm节点就会反映出来，因为随着存储单元区的减少，对极化的要求也越来越高。
随着对BFO的深入开发，可以实现256Mb的大容量FeRAM，这种FeRAM与现有的1Mb产品相比，密度将会高出两个等级。密度的提高使得FeRAM的应用将在新的领域（如快速启动，它使计算机在开机后能够立刻使用）得到扩展，而不再仅限于在安全应用领域。
