本例介绍的电发电机组自动稳压器电路，具有稳压性能好、适应性强、成本低廉等特点，可用于各种中、小型内燃发电机组和水电站等自动稳压，也可用于改造老式发电机组。
电路工作原理
该发电机组自动稳压器电路由同步触发电源电路、弛张振荡触发器、稳压控制电路、无功电流调节电路、外动力不足保护电路。励磁电路和充磁电路组成，如图5-156所示
同步触发电源电路由电源变压器T、整流二极管VD4~VD9、稳压二极管VS1和电阻器R1组成。
弛张振荡触发器电路由晶体管V2、单结晶体管VU、电阻器R2~R5和电容器C2、C3组成。
稳压控制电路由电源变压器T、整流二极管VD10~VD15、电阻器R6~R8，电位器RP2、电容器C1和稳压二极管VS2、VS3组成。
无功电流调节电路由电流互感器TA、电位器RP1、开关S1和整流二极管VD16~VDl9组成。
励磁电路由交流发电机G的等励磁绕组WE;二极管VD1、VD2、晶闸管VT、K1的常闭触点K1~1、熔断器FU1等组成。
外动力不足保护电路由电阻器R9~Rl2、二极管VD25~VD31、晶体管V1、电容器C4~C8和继电器K2组成。
充磁电路由充磁按钮S2、二极管VD2O~VD24、K1的常闭触点K1~2、熔断器FU2和T的W4绕组组成。
来自发电机G的三相交流电压晶经T降压后，在T的W5~W7绕组上产生30V三相正弦交流电压，在W8~W1O绕组上产生18V三相正弦交流电压。W5~W7绕组上的电压经VD4~VD9整流、R1限流降压及VS1稳压后，产生15V梯形波直流电压，作为弛张振荡触发器的同步电源;W8~W1O绕组上的电压经VD1O~VD15整流、R6和RP2限流降压及C1滤波后，通过由R7、R8和VS2、VS3组成的桥式测量电路加至弛张振荡触发器，作为其控制信号电压。 在发电机G刚开始发电时，C两端电压 (桥式测量电路的输入电压)较低，VS2和VS3均不导通，弛张振荡触发器不工作。当发电机G的端电压上升至200V时，VS2和VS3击穿导通，使弛张振荡触发器工作，从VU的第一基极输出脉冲波信号，该信号经VD3加至VT的门极，作为其触发信号。这样，发电机在短时间内建立起空载电压。
随着发电机端电压的不断升高，a、b两端电压逐渐下降。当发电机的端电压超过40OV时，a、b两端电压降为OV，使V2截止，弛张振荡触发器停振，VU无脉冲信号输出，VT截止，切断了励磁电路的直流电源，使发电机的端电压稳定为400V(空载额定值)。一旦因负荷或其他原因使发电机的输出端电压下降时，a、b两端电压会立即上升，使V2导通，弛张振荡触发器振荡工作，VU输出的脉冲信号便VT受触发导通，加大发电机转子的励磁电流，迫使发电机输出电压上升至额定负载电压值。
当发电机并联运行时，流过电流互感器TA的无功电流加大，使TA二次绕组上的感应电压升高，该电压经RP1分流调节及VD16~VD19整流后，在R6上形成直流电压降，从而改变a、b两端电压的高低。当无功电流增大时，a、b两端电压下降，使VT的导通角变小，发电机的无功电流降低。 当发电机的外动力 (内燃机、水轮机等)转速不足时，发电机输出电压的频率会明显降低，这会使发电机和负载 (交流电动机等)的工作电流上升，发电机因端电压下降而励磁电流加大使晶闸管VT过电流损坏，甚至还可能烧坏发电机。为了使发电机在外动力不足时停止发电，增加了由V1和K2等组成的外动力不足保护电路。在发电机输出电压的频率因外动力不足而降低时，V1导通，使K2通电吸合，其常开触点接通，将VS1短路，弛张振荡触发器失去+15V电压而停止工作，晶闸管VT失去触发脉冲而截止，从而保护了发电机和晶闸管VT。
发电机G运转后，由剩磁感应形成的单相低电压 (约12V)经VD1半波整流形成直流电流并流过励磁绕组WE，此微弱的励磁电流使发电机定子发出高一些的低电压。若发电机转速已达额定值，这一正反馈过程使发电机在极短的时间内 (小于3S)建立起空载三相端电压。当发电机电压上升至200~300V时，K1通电吸合，其常闭触点K1-1和K1-2断开，改由VT导通供给励磁电流。
发电机G在额定转速下带负荷运行时，其励磁电流回路为:中性线N→励磁绕组WE→晶闸管VT→熔断器FU1→发电机的U输出端 (L1相)。
VD2为续流二极管，它并接在励磁绕组WE两端，在VT导通时截止，在VT截止时导通。
当发电机因长期停机未用或受潮等其他原因造成严重失磁时 (正常时，发电机剩磁电压为20V左右，失磁后降为6~10V)，将无法自行建立起空载电压。此时可按一下充磁按钮S2，失磁后的6~1OV电压经T的W4绕组升压、VD2O~VD24整流后直接供给励磁线圈WE，使发电机在失磁的情况下建立起空载电压，而不用外接蓄电池。
RP2为电压锁定电位器，在发电机启动运行后，调整RP2的阻值，使发电机的输出电压为400V(50Hz或60Hz)。
元器件选择
R1和R6均选用2W金属膜电阻器;其余各电阻选用1/2W的金属膜电阻器或碳膜电阻器. P1选用线绕可变电阻器;RP2选用2W精密电位器或可变电阻器。
C1、C2、C4、C6、C7和C9均选用耐压值为25V的铝电解电容器;C3、C5和C8均选用独石电容器。
VD1选用2OA、400V的硅整流二极管，例如2CZ59F等型号;VD2选用5OA、400V的硅整流二极管，例如2CZ60F等型号;VD3~VD35均选用1N4007型硅整流二极管。
VS1~VS3均选用1W的硅稳压二极管。
V1选用S8550或3CG8550型硅PNP晶体管;V2选用2SA1O15或3CG1O15型硅PNP晶体管。
VU选用BT33F型单结晶体管。
VT选用5OA、400V以上的晶闸管。
K1和K2选用24V小型直流继电器。
