最新现货行情显示，11月2日国内DRAM市场比较平静，价格相对平稳。由于预期11月上半月的DRAM合约价格有进一步下跌的可能，所以今天外围颗粒价格略为下调，主流品牌Hynix 256M DDR266/333/400尾市收于￥115/￥131/￥161。
关于明年DRAM市场走势预测，权威预测机构表示，尽管从需求面来看内存市场颇乐观，但从供给面来看，明年DRAM位成长率约49%较今年56％还低，主要原因在于DRAM厂逐渐从0.11微米转进90奈米，制程转换良率不确定因素，加上DRAM厂持续将DRAM产能转换到生产闪存；而DDR则受惠于低价计算机市场支撑，每到旺季仍有机会出现季节性供不应求，但DDR2明年全年难脱供过于求的阴影。
内存市场研究机构集邦科技10月31日公布2006年DRAM及NAND闪存供需模型。集邦科技行销处处长杨雅欣说，若由目前DRAM厂对明年的扩产计划及产品别预估，明年DDR只有第二季度会供给过剩，DDR2则是全年都供给过剩，但因台韩DRAM厂，已释出将降低DDR2生产比重的消息，若此举为真，明年上半年DDR及DDR2都会供给过剩，而DDR2仍会较为严重。
对于DRAM市场供给面呈现快速成长，需求增长动力又不甚明显的情况下，业者建议，明年DRAM市场应需谨慎操作。
