中国MLCC产量占全球的比重也不断呈现出上升趋势。1998年，中国MLCC总产量仅为219.4亿只，2004年已直线增长到900亿只。
市场集中度在提高。世界经济全球化，使电子元件工业的竞争近乎白热化，制造商为了增强自己的竞争实力，通过收购、合并、合作等方式不断壮大自己。国际上已经成长出一批超级跨国集团公司，而且，位居前列的生产企业的市场份额在不断扩大，他们不仅引导着技术潮流，而且主导和操控着市场，使这个有庞大容量潜力的市场竞争异常激烈。2004年，我国电子元件行业进出口贸易继续保持快速增长态势，进出口贸易总额为469.15亿美元，较前一年同期增长23.98%。但其中出口创汇为189.72亿美元，进口增长快于出口，差额为279.43亿美元。贸易逆差还在迅速扩大，特别是高档的电子元件仍然以进口为主，这说明中国的企业还处于竞争弱势。我们只有直面跨国竞争，适应潮流，接受挑战，不断提升企业的核心竞争力，才能力保国内元器件企业可持续发展。
降低电极成本通过技术创新降低成本
传统MLCC关键的内电极材料为钯和银，其市场价格很高，其成本占整个MLCC成本的50%以上。在MLCC毛利率不断下滑的情况下，各厂商纷纷致力于开发BME制程技术，力求以铜、镍等贱金属来取代银和钯，从而将单位产品成本降低20%以上。2001年～2006年，BME制程技术将成为未来全球MLCC厂商提升市场竞争力的关键。
在BME技术上，日系厂商走在全球前面，他们早在10多年前就已经开始研发。近年来，我国风华集团及台湾地区的主要MLCC厂商也不甘示弱，相继开发出成功的BME产品。BME产品的市场比重正在逐年上升，2000年以BME制程生产的MLCC比例为53%，首次超过了以贵金属生产的MLCC，2003年BME产品的市场比例达到55%～60%。
降低介质厚度
降低介质厚度是降低成本的另一重要因素。在薄质大容量MLCC制造领域，日系生产商中以太阳诱电(TAIYOYUDEN)公司最为著名。目前，世界上主要MLCC生产商都在日本，如TDK、村田(Murata)、太阳诱电、京瓷(Kyocera)等公司。日本MLCC的关键技术都处于保密状态之中。美国的几家电容器企业，包括AVX、KEMET、VISHY等，在薄介质、高层数方面虽然比日本慢3年～5年，但亦已经做到500层以上，介质膜厚8μm。
从技术的角度来看，薄质大容量MLCC一般需要有薄的介质层和更高的层数。当前世界最高水平的全自动大生产是在日本的TDK，它的全自动大生产化操作的介质厚度可达4μm，而实验室可做出2μm以下介质层厚度以及容量100μF以上的MLCC。据报道，目前在日本，500层的MLCC已正常生产，800层技术已成熟，最高层数(实验室内)已达1000层之多，相应的电极层厚度趋于1μm以下，介质厚度逼近1μm。介质膜厚度进一步减至3μm～5μm时，相应的电子陶瓷材料粒度亦下降至0.1μm～0.2μm，而且对粉体的形貌要求越来越高。由于电子陶瓷原材料在薄质大容量MLCC工艺技术中至关重要，日本厂家都是自产自用。
风华集团代表了国内MLCC制作的最高水平，在相关生产技术方面，主要是薄膜成型及气氛保护烧成、烧端技术已经基本成熟。针对介质薄膜流延，风华集团开发了自主产权的粘合剂系统，在与之配套的电子陶瓷材料方面，目前风华集团也处于国内领先位置，并掌握了材料的核心关键技术，成膜技术达到3μm，丝印叠层技术达到500层。
提早应对无铅化潮流
无铅是上世纪90年代末期发自日本的信息，现在有25个欧洲联盟成员国已经在执行禁止在电子器件中使用铅的法律。欧盟的无铅法律将影响全球的电子产业，一来是由于供应链的全球化，再者它已经不仅仅是市场要求，而且是国际趋势。保护环境已成为21世纪各个国家不可回避的问题，电子制造无铅化已势在必行。中国自加入WTO后，全方位的与国际接轨已经成为产业发展的必经之路，关注生存环境和经济的可持续性发展已经摆上了重要议事日程。
为了实现无铅化，人们对倒装芯片封装、晶圆级封装、SMT和波峰焊进行广泛的材料研究和工艺评价。现在，关于无铅工艺的研究在工艺上已趋于成熟，因此对产品不会造成太大影响，无铅焊料基本上也能够得到供应商的支持。当然，替换方案并非完全理想，虽没有类似于铅的毒性威胁，但是对环境有其他负面影响，例如，高熔点意味着高能耗。另外，如果用含银的材料来替代铅锡焊料，会产生另一个负面的对生态环境的影响，那就是需要大量开采和加工贵重的金属矿石。
对制造商而言，最大的顾虑还是成本。现在的电子产品中，铅含量在1%～2%左右，如果通过改变工艺把铅含量降低，除了焊料本身的成本之外，由于需要元器件、连接器等承受更高的焊接温度，改用不同材料后，会使成本提高，水电等能源消耗也将增大。
