飞兆N沟道MOSFET系列提供高达8kV的ESD电压保护

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。利用飞兆半导体的Power Trench工艺，这些低导通阻抗(RDS(ON)) MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ) 能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力，确保电池组在意外的电压尖峰冲击下，系统依然安全。

FDS881XNZ系列为设计工程师提供了多种选项，让他们可根据其电池应用的功率管理和负载开关要求进行选择。FDS8812NZ (RDS(ON) = 4mOhm) 针对高端笔记本电脑应用，协助设计工程师解决将高端功能整合到笔记本电脑中所面临的散热难题。FDS8813NZ (RDS(ON) = 4.5mOhm)非常适合于15’以上显示器的一体化笔记本电脑，而FDS8817NZ (RDS(ON) = 7mOhm) 则是通用于中低端产品和子笔记本电脑的理想产品。
FDS881XNZ系列的主要优点包括：低导通阻抗RDS(ON) 解决方案，能提高工作效率，从而延长电池使用寿命。集成式ESD保护二极管 (HBM) 提供8kV ESD保护功能。坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力，可耐受电压尖峰的冲击，避免输出端出现突变电压。
FDS881XNZ系列N沟道MOSFET系列采用业界标准SO8封装，是飞兆半导体广泛的电池用MOSFET产品系列的又一重要成员。
FDS881x系列采用无铅(Pb-free)引脚，潮湿敏感度符合IPC/JEDEC标准 J-STD-020对无铅回流焊的要求，所有飞兆半导体产品设计均符合欧盟的有害物质限用指令(RoHs)。
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