IBM与TDK开发STT-RAM磁性内存芯片

     蓝色巨人IBM公司与日本的TDK公司联合，开发一种被称为STT-RAM的磁性型内存芯片技术，预计采用0.065微米工艺的原型产品将在未来的4年内开发出来。 
　　在STT-RAM中，加到磁铁上的电流将会改变磁场的方向，磁场方向的改变将会引进阻抗的变化，不同的阻抗代表“1”或“0”。
　　目前，硅谷的一家新创公司Grandis也正在试图推出商业性STT-RAM产品。Grandis公司正在为潜在客户生产样品芯片，预计到明年底正式在市场上推出相应的产品。
　　IBM公司以前一直在开发一种名为MRAM的更为传统类型的磁性内存。然而，公司却在缩小这类芯片的晶体管时遇阻。据IBM公司非挥发性内存研究部门的高级经理盖拉尔表示，当你在使MRAM芯片更小时，就需要提高磁场强度，继续写数据，这样会变得不切实际。因此，要采用比0.065微米工艺更先进的工艺，目前我们不得不需要找到一种写数据的新机制。IBM公司尽管已经生产出了MRAM原型产品，但它使用的是一种较为落后的工艺。IBM公司还没有推出商品化的MRAM产品。　　
　　尽管飞思卡尔半导体公司已经发布了商品化MRAM，然而，它最近却对这种技术的“寿命”表示质疑。据飞思卡尔半导体公司的大卫在上周的“闪存峰会”上表示：MRAM很可能会不适用于比0.065微米更先进的工艺。然而，据盖拉尔表示，STT-RAM和相变内存可能是未来非挥发性内存的两种潜在的技术。他认为STT-RAM的的寿命可能会更长些。