台积电将铜工艺引入0.13微米嵌入式闪存制造过程

     台积电表示，嵌入式闪存过程工艺兼容早期技术，并且适合台积电0.13微米通用和低功率逻辑工艺过程。

     台积电也首次将铜工艺引入嵌入式闪存制造，该公司内存平台行销主管Sam Chen表示，“这是我们非易失性内存技术发展的另一个里程碑。”

     据称，该过程工艺适用于生产ZigBee/Wibree器件、无线耳机、助听器、智能卡和其他需要工作电压在1.2到1.5伏特的应用。