IBM和TDK和联合开发高密度、高容量MRAM芯片

      据国外媒体报道，IBM和TDK本周一宣布双方将联合开发高密度、高储存容量的MRAM(磁性储存)芯片。 
　　二公司表示，它们将研究采用“自旋动量转移”(spin momentum transfer)制造更小的数据储存单元。MRAM芯片采用磁场储存数据而不是电荷，它是一种非易失性储存产品，象闪存一样，在没有电能的情况下MRAM芯片仍然能够保存数据。
　　MRAM芯片的书写速度比闪存更快，能够比得上使用在计算机上的DRAM储存芯片。计算机是MRAM芯片的潜在市场，由于不需要加载软件，因此能够使计算机迅速启动。
　　IBM和TDK公司希望它们开发的高容量MRAM芯片能够对手机和手持计算机制造商有更大的吸引力。过去IBM曾经和英飞凌科技公司在研究MRAM技术上进行了合作，去年七月份，它们已经开始大量制造商品化4MB储存容量的MRAM芯片。