Ovonyx公司是一家能源转换设备公司的附属企业，该公司从事氧属化物技术研究已有十年历史，但却未能将此技术商业化为一个拥有实体的设备。现在Ovonyx公司继续从事着自己的研究项目并与英特尔公司达成了发展协议。
在2000年2月，Ovonyx公司宣布了英特尔公司对自己的投资计划。做为回报，Ovonyx公司也将自己的相变（phase-change）内存技术授权给了英特尔公司。自从那时起，Ovonyx公司和英特尔公司就一直在并肩合作，以开发和证明基于相变（phase-change）内存技术的高密度、非易失性内存的可行性。
Ovonyx公司的相变（phase-change）内存技术比传统的内存技术能够提供更快的书写速度和抹除速度以及更高的循环耐久力。如果他们能够证明这一技术全部可行，很可能在今年获得很大发展。
英特尔公司副总裁兼公司加利福尼亚技术制造部（California Technology Manufacturing ）主管Stefan Lai在一份由Ovonyx公司公布的声明中说：“英特尔公司对Ovonyx公司的继续投资表明了我们对有可能成为未来非易失性内存替代品的相变（phase-change）内存技术的高度兴趣。”
英特尔公司认为继NOR内存之后的非易失性内存将是相变（phase-change）内存，因此今后将致力于开发价格更低的新产品。相变（phase-change）内存作为下一代内存技术，其地位日益突现。
根据Ovonyx公司首席执行官兼公司总裁Tyler Lowrey在上诉声明中所说，英特尔公司提供的资金将主要被用于支持公司正在开发中的项目。
英特尔公司是世界上第一个生产内存并将其投放市场的公司,对内存技术的兴趣是早已生成的。1988年，英特尔公司推出了一款256K bit内存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。后来，英特尔公司发明的这类内存被统称为NOR内存。它结合EPROM（可擦除可编程只读存储器）和EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）两项技术，并拥有一个SRAM接口。
英特尔公司非挥发性内存技术负责人Stefan K. Lai表示，尽管目前其成本比1bit/单元的NOR型内存低，但却高于2bit/单元产品。要使相变（phase-change）内存走上前台，必须等到内存工艺技术提高到32nm以下之后。
