观察：SanDisk、Hynix计划共同建立闪存芯片厂

美商SanDisk执行长Eli Harari周四表示 ，为了抓住需求量日益攀升的NAND型闪存市场，公司将与南韩Hynix计划共同建立1座新的闪存芯片厂。
在公司总部接受采访的Harari指出：「两家公司共同投资一座新的12吋晶圆厂的意愿非常浓厚，大致上将会生产NAND型闪存。」
不过Harari不愿进一步说明新厂将于何时投入生产，或这次双方的出资比例为何。
一般而言，建立一座内存芯片厂的成本大约为20亿美元。在需求疲软、加上价格快速下滑的情况下，若进行上述大型投资，许多芯片制造商通常会寻求合作伙伴，以便于把风险降至最低。
今年3月，SanDisk宣称已与Hynix达成交叉授权协议，此项协议包括NAND型闪存产品在内。这些晶片用于消费电子产品(如MP3播放器)，具有储存数据的功能。同时，这两家公司还公布他们已经签订了建立合资企业的备忘录。
Harari强调，「目前所有的事情都还在协商，所有的细节都还没有做最后的决定。」
当前SanDisk和Hynix计划建立1座新的闪存晶片厂，这主要是因为看好NAND型闪存市场的成长动能，例如自Apple推出iPhone以来，让这类芯片的需求量大幅攀升。
Harari说：「闪存的成长动能非常惊人，未来也会变得更加普及。」
Harari表示，因为价格下跌使得这些芯片更加地平易近人，除了手机和数字相机外，目前也开始广泛用于笔记型计算机。他说公司也有供应固态硬盘给Dell。
Harari相信锁定笔记型计算机的固态硬盘市场，未来几年市场将会迅速扩张，公司将可以从低成本的快闪记忆体中获得利益。
此外，Harari也说SanDisk将继续寻求收购的机会，以便于进一步的壮大。
为了提升NAND型闪存市场的市占率，去年SanDisk收购以色列的M-Systems Ltd.，2006年也收购了 Matrix Semiconductor Inc.。