早在9月底，业内传出三星高容量MLC制程出问题的消息，现货市场就开始明显感觉到NAND闪存（特别是高容量）供货严重不足，当时不少乐观人士还预计此情况会在10月中旬有所改善。然而，此风波在经历了大半个月后，市场仍然没有出现好转。反而由于近日三星的一连串丑闻，导致现货市场经销商对供货得以改善的情况更加丧失信心。
据了解，国庆长假之后，高容量闪存现货价格是一路狂飙，现货报价8G居然险些突破55美元大关，与合约价价差高达10美元！4G均价也到了26美元，涨幅约4%。而低容量2G NAND也随之一度飙升至13美元，1G NAND平均报价上涨1.7%。
业内分析称，近期价格波动较大，是因为大陆买家大量收购低容量2G产品，加上近期高容量的4G、8G价格太高，新兴市场买家转而购买低容量的Nand Flash所致。
NAND价格如此飙升原因除了产品供应受限之外，市场需求“无限”更是促使其“价高好卖钱”的重要原因，业内几大公司近期言论中无不把市场对闪存的需求用“无限”形容。
据路透社消息，东芝正在扩展其闪存芯片生产量，计划采用超微细加工技术，进一步增加每枚单芯片可生产快闪内存的数量，降低生产成本。该公司近日还宣布，在今后三年内投资2000亿日元（约合18亿美元），使其闪存芯片产量增加150％！
东芝在闪存上如此大手笔，无非是看好闪存市场的巨大需求。
而目前来看，闪存市场价格的拉高正是应了“物以稀为贵”的说法。但是，尽管目前闪存形势是高、低容量一齐涨，但记者还是要提醒部分经销商及炒货商，现在现货价已炒得有些过头，日后价格回稳就可能会相当迅速，因此，有必要做一些预防措施，以免到时措手不及。
