Infineon业界最低导通电阻OptiMOS 2 100V系列

3月21日訊,Infineon公司推出新型100V MOSFET器件OptiMOS 2系列,和標准技術的解決方案相比,它能降低開關電源(SMPS)的元件數30%,降低成本多達20%.OptiMOS? 2系列在標准封裝時的導通電阻低至4.4毫歐姆,導通電阻和柵极電荷的乘積(优值)低到410 mΩnC(毫歐姆納庫侖),支持開關速率高達250kHz及以上頻率.

OptiMOS 2 100V MOSFET系列在AC/DC和DC/DC電源轉換中有最佳效率,用在計算机系統,通信系統和网絡系統.無与倫比的導通電阻和优值還使新的100V MOSFET非常适合其它的開關電容的應用,包括D類放大器,馬達控制和不間斷電源(UPS).

在DC/DC轉換器的應用,低導通電阻降低了重負載的損耗.在輕負載,非常低的FOMg (柵极電荷优值或導通電阻乘柵极電荷)和FOMgd (柵-漏電荷优值或導通電阻乘柵漏极間電荷)降低了DC/絕緣DC/DC磚型轉換器的初級邊開關的損耗,以得到高的效率. FOMgd 比FOMg更适合用來計算開關損耗.而OptiMOS 2 100V MOSFET具有這兩种优值.用同樣的元件數量和可比封裝,滿負載的損耗可降低多達20%,在重負載時還能保持优异的效率.此外,對于同樣的效率,能降低元件數量多達20%,提供最佳的性价比折衷.

在AC/DC轉換器應用,低導通電阻和柵极電荷以及高動態開通免疫性,保証了同步整流級的業界一流的低損耗和安全工作.和標准技術相比, OptiMOS 2 100V MOSFET允許在AC/DC開關電源的次級同步整流級間斷元件數多達30%.此外,低熱系數即使在AC/DC SMPS中通常存在的升溫狀態下還保証了低導通損耗.

OptiMOS 2 100V系列還具有MOSFET技術中理論极限值的雪崩指標,MOSFET實際上是動態開通免疫性的.這兩种特性保証了目標應用中的穩定性,可靠性和最大限度性能.

現在可提供TO-252(D -Pak),T)-262(I2-Pak)和TO-222封裝的OptiMOS 2 100V器件樣品,其導通電阻從5.4mΩ 到80mΩ.其它封裝如D2-PAK, I-Pak和Super SO8的器件將在將在2006年年內提供.

10K量時的單价, 4.4mΩ TO-220 (IPP04CN10N)器件的單价低于$2.40,高速D-Pak封裝(IPD64CN10N)的單价為$0.40.