安森美半导体（ON SEMICONDUCTOR）宣布，将其先进的制造工艺技术扩大到HighQ硅-铜集成无源器件(IPD)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比，这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低，性能更高。
HighQ IPD工艺技术是诸如不平衡变换器、耦合器和滤波器等无源器件制造的理想选择。对于便携和无线应用，高性能等于延长电池寿命。
工艺
位于美国的世界级安森美半导体200 mm制造厂采用的是IPD工艺。该厂具世界一流水平的原型和生产周期，高科技产品生产和故障分析设备和系统。
HighQ制造工艺制造出铜镀层厚实的电感器、MIM 电容器(0.62 fF/um2) 以及 TiN 电阻器
(9 ohms/square)，工艺成熟，将满足全部可靠性评估标准，显示了该方案的稳健。
加工温度-65°C/150°C
金属、Vias 和 MIM电容器上固有的稳定性
高温反位相（Op）寿命(150°C, 504 小时)
额定ESD：HBM, MM
IPD 设计工具
安森美半导体为制造服务的客户提供用于IPD技术的设计组件，能够有效仿真的第一硅方案结果，并包含标准的Cadence设计工具：
PCELL 生产器、Views等；
Cadence Assura DRC、LVS；
带有安捷伦ADS模型的 Cadence RFDE 环境；
从布局到HFSS仿真环境全自动转化。
安森美半导体为潜在客户提供这套设计组件，帮助他们进行快速的建立原型。
