宏力的130纳米工艺推迟至06年，因为缺少合作伙伴？

    中国硅晶圆代工厂商宏力半导体(Grace Semiconductor Manufacturing Corp.)日前表示，它预计将在2006年上半年提供其130纳米逻辑工艺。这看来晚于该公司原来的计划。 

    宏力半导体于2003年9月23日开业，一期项目总投资为16.3亿美元，目前已建成两座12英寸规格的厂房，其中一厂A线已投入生产，2004年底月生产能力达27,000片8英寸晶圆，可提供0.25/0.22/0.18/0.15微米工艺，产品类型包括：逻辑、混合信号、射频、高压器件，及掩模存储器、静态存储器、闪存等。宏力半导体一直在开发130纳米逻辑工艺。根据它的路线图，它计划在2005年推出这项技术。 

    但宏力半导体的高管最近在韩国暗示，它的130纳米工艺仍在开发阶段，在明年上半年以前不会投产。该公司还计划开发110和90纳米工艺，但预计这些技术的推出时间也将延后。 

    去年宏力半导体表示，关于130纳米制造工艺的技术转让谈判已进入最后阶段，该技术的提供者是一家未透露名称的美国整合器件制造商(integrated device manufacturer)。 

    但是，它仍未确认其美国合作伙伴。直到现在，宏力半导体主要依赖日本伙伴获得工艺技术，从0.15微米到0.5微米。传闻称，宏力半导体在与日本冲电气开发130纳米技术。 

    上述延误对于宏力半导体来说是一个小挫折。该公司继续落后于中芯国际。分析师称，中芯国际正在提高其90纳米工艺的产量。