Tower、Ramon完成太空应用抗辐射SoC控制器原型，采用0.18微米CMOS工艺技术

    独立专业代工厂商Tower Semiconductor和专精太空应用的无工厂公司Ramon Chips宣布完成用于太空应用的抗辐射系统级芯片(SoC)控制器原型。该控制器采用Tower的0.18微米CMOS工艺技术制造。 
    该SoC控制器的时钟频率为150-MHz，芯片上的SpaceWire接口具有250-Mbit/s的传输速率，能够承受宇宙辐射和恶劣的环境条件，可用于环绕地球的卫星中的所有应用，以及高可靠性航空应用。 
    该SoC控制器的设计和制造采用Ramon Chips的防辐射方法和标准单元库，确保采用Tower Semiconductor的生产线制造的部件的抗辐射能力。 
    根据Ramon Chips公司CEO Ran Ginosar教授今年在Israeli Nano-Satellite Association (INSA)的介绍，该控制器采用Gaisler Research AB公司的Leon-3 32-bit Sparc处理器，代码为GR702RC。第二代GR712RC采用两个Leon-3处理器核，具有更多的外设和片上高速缓存。另一种采用同样的RadSafe库和Tower Semiconductor 0.18微米CMOS工艺的原型已经通过测试。