超紫外线光刻技术发展缓慢，Intel目光转向反向光刻技术

    由于超紫外线光刻技术(extreme ultraviolet，EUV)的发展迟缓，Intel透露正在开发一种可能将光学扫描仪扩展到22纳米制造节点的可制造性设计。 
    Intel正在开发的这种计算光刻(computational lithography)是一种反向光刻技术。反向光刻、EUV和两次图形曝光技术是Intel正在为22纳米制造节点进行评估的光刻技术。 
    自1980年代以来，反向光刻技术得到多家机构的开发，有望取代光学临近矫正(optical proximity correction, OPC)。 反向光刻技术可能使EUV技术不再有用，而且EUV由于技术问题发展已经落后。 
    Intel指望在2011年22纳米制造节点芯片开发中使用EUV技术。 EUV工具要到22纳米制造节点后期才能提供，而且成本昂贵，需要7000万到1亿美元。