根据Web-Feet Research 发布的报告，该公司预测2012年度全球内存市场的规模可望达到565亿美元，而 trapped charge与phase change产品可望超越许多内存领域，攻下其中30.7%的市场。trapped charge内存主要是NROM，占有2006年度237亿美元闪存市场的6.1%而已，但被看好未来将迅速成长，随着SONOS NAND变种，诸如TANOS与BE-SONOS的进入NAND市场。
Web-Feet Research分析家指出，随着floating gate快闪技术进展到40奈米世代，它面临了scaling方面的挑战，而trapped charge与phase change技术将带领NAND与NOR 在scaling方面持续往前推展。目前，trapped charge内存最主要是使用在NOR flash作为code储存，占有2006年度NOR市场的15.7%；这个领域预测到2012年度的比重将达到28.1%。另一个更巨大的转变将是trapped charge内存在NAND市场的比重，将从目前的不到1%扩展到2012年度的30%。Phase change内存预测将占有2012年度NOR市场的5.5%。
