巴斯夫联合IBM开发用于集成电路的电子材料

      巴斯夫宣布与IBM 达成协议，共同开发最高级集成电路生产过程中所需的电子材料。 根据此协议，巴斯夫与 IBM 将开发化学解决方案，用于基于 32-纳米技术的高性能、节能型芯片的集成电路制造流程。该项技术及相关的化学品与材料预计最早于2010年由北美、亚洲与欧洲的半导体行业各大厂家投入商业应用。 
　　巴斯夫电子材料部的高级经理费宁格博士表示：“此举是我们为应对IC 业未来的挑战迈出的一大步。该项合作将受益于IBM的半导体领先工艺开发能力与巴斯夫在化学品与纳米技术领域的专业知识与创新实践。”
　　IBM 研究部的杰出工程师与高级经理Ronald D. Goldblatt博士表示：“IBM 与巴斯夫相信该项目将使双方都能保持在半导体行业的领先地位。化学将在下一代 (32纳米) IC 产品的开发中扮演日益重要的角色，作为大型化工公司，巴斯夫将提供广博且跨学科的专业知识背景，以及其在半导体相关化学品解决方案领域的多年经验。”
　　当今最尖端的芯片技术 (45纳米) 将于2007年年底推出。 然而，当前对更小型最小尺寸芯片的开发工作，对材料与化学品提出了重大挑战。 该项目的研究将在位 
于美国纽约州约克城高地 (Yorktown Heights) 的 IBM及位于德国路德维希港的巴斯夫总部共同进行。 
　　2006年，全球IC 行业 的销售额约为2600亿美元，较上年增长了9%。最先进的IC 产品中的微处理器，能控制从电脑到手机及数字式微波炉的各种装置。近年来，集成电路不断向更小的尺寸演变，并在性能、密度与每项功能的单位成本方面取得了持续的改善。 随着尺寸的持续缩减，这些改善能否实现，将更依赖于各种新材料与结构的开发应用。