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Hittite Microwave Corporation不久前推出该公司首批宽波段、极低噪声分布式MMIC放大器，适用于2~18GHz范围内的军事、航空、测试设备和光纤应用。
HMC606、HMC606LC5为GaAs InGaP HBT MMIC分布式放大器，其典型小信号增益为13.5 dB，中波段下输入和输出回波损耗为20 dB。与基于FET的同类分布式放大器相比，这两款放大器的相位噪声性能有很大改进。
当在输入端加频率为4 GHz的-1dBm信号时，HMC606和HMC606LC5的相位噪声分别为-153 dBc/Hz@1 kHz和-157 dBc/Hz@1 kHz,偏移量为10 kHz；在输入端加频率为12 GHz的-2 dBm输入信号，HMC606 和HMC606LC5的相位噪声分别为-151@1 kHz和-160 dBc/Hz@1 kHz，偏移量为10 kHz。HMC606和HMC606LC5的中波段噪声系数为4.5 dB、输出P1dB/+15 dBm。因其所采用的偏置拓扑，仅从单个+5V 电源消耗64mA电流。
HMC606和HMC606LC5适用于频率合成器应用，也可与Hittite的一系列倍频器和VCO产品协同架构高性能LO分布式和多用途链路。HMC606LC5采用5 x 5 mm陶瓷无引线表面贴着封装，适用温度等级为-40℃~+85℃。有适用于混合型MIC和MCM组件应用的HMC606 die（芯片），其适用温度等级为-55℃ ~+85℃。Die、SMT和评估PC板现皆有库存。详细使用手册可从www.hittite.com下载。
