力晶半导体投资25亿台币兴建研发测试中心

    台湾动态随机存取存储器(DRAM)大厂力晶半导体6月21日表示，该公司将斥资25亿台币，兴建整合集团研发团队的研发测试中心以强化竞争力。 
    力晶在声明稿中表示，这笔投资是为了第一期兴建工程所需，预料最快将在明年第二季完成产能建置。新的研发测试中心将座落在新竹科学园区。 
    力晶与海外竞争对手均因2006年底以来芯片价格疲软而陷入困境，当时部分个人电脑(PC)制造商对微软的Vista作业系统效应过度乐观，导致库存水位高涨，PC存储器芯片产业也出现供给过剩。