富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存，具备高速资料写入、低功耗、大量写入周期等特点，适用于汽车导航系统、多功能打印机、测量仪器及其它需使用非挥发性内存来储存各种参数、记录设备操作条件与保存安全信息的各项高阶应用。
FRAM组件的高速资料写入和大量写入周期功能，非常适合办公设备中储存事件计数或参数，以及记录各种事件等用途。FRAM组件可提供100亿次的读/写周期，相当于以每秒写入30次的速率连续写入10年。此外，FRAM组件不需电池即可储存资料达10年以上。即使当仪表设备等应用面临电源临时中断之情况，富士通的FRAM写入机制仍能确保资料可高速写入FRAM组件，而不会损失任何重要资料。
MB85R2001芯片组态为256K字数×8位；MB85R2002芯片组态为128K字数×16位。此两种格式的读取时间均为100ns，读/写周期则为150ns，操作电压则介于3V到3.6V之间。
相比于以电池供电的SRAM组件，FRAM无需使用电池的优势，可让顾客简化生产流程，并省去更换电池及产品维护的麻烦。与富士通其它所有的FRAM组件一样，MB85R2001和MB85R2002藉由减少材料使用量，以符合环保相关国际法规。
新款的2Mbit FRAM组件与目前富士通正量产的1Mbit FRAM组件——MB85R1001和MB85R1002，具备相同的电气特性，并采用TSOP-48封装方式。只需增加连接一个地址，顾客即可将1Mbit FRAM组件转移至2Mbit的组件上。因此，顾客可根据所需的内存容量，在同一块印刷电路板上选择使用1Mbit或2Mbit的FRAM组件。
