采用CMOS技术实现高频电路的CMOS RF IC很难内置低噪声放大器，因而需要外置高性能的低噪声放大器。 而NJG1128HB6则能够解决上述问题。这款低噪声放大器配备有旁通电路，主要用于450MHz频带CDMA手机。
NJG1128HB6由低噪声放大器、旁通电路和控制用逻辑电路构成，实现了IIP3=+8dBm min. @ 460-470MHz(高增益模式时)的低失真特性，简化了信号接收电路的设计。
当电场输入处于正常状态时，通过内置低噪声放大器对RF信号进行增幅(高增益模式)。当处于强电场输入状态时，由于无需对信号进行增幅，因此NJG1128HB6还内置有不通过低噪声放大器的旁通电路，使低噪声放大器在此时处于待机状态，从而实现了低消耗电流(低增益模式)。
上述高、低增益模式的切换，可通过控制逻辑电路以1比特控制信号得以实现，利用微处理器即可进行控制。
NJG1128HB6具有以下特征，适用于450MHz频带CDMA手机的低噪声放大器：
1.采用HJ FET工艺，实现了高线性特性：IIP3=+8dBm(min.)@高增益模式时，IIP3=+15dBm(min.)@低增益模式时
2.低增益模式时实现了15μA(typ.)的低消耗电流。
3.内置控制用逻辑电路，便于进行模式切换(控制电压"High"=高增益模式)
目前已开始发放NJG1128HB6样品，6月正式投入生产，投产后预定月产量为30万只。样品价格为50日元。
