突破工艺技术限制实在不易，东芝另寻突破口提高NAND闪存密度
东芝公司日前宣布，它将不会再试图突破工艺技术的限制，而是将转向3D结构以提高NAND闪存密度。与东芝一起的还有其它几家内存制造商，他们都非常希望能以新设计代替传统的浮栅式NAND，因为该类产品已经快到容量极限了。
一些行业分析人士认为，采用45纳米或32纳米节点的浮栅式NAND马上将要推出历史舞台。东芝在近日于日本举行的超大规模集成电路研讨会（VLSI Symposium）上推出了一个新概念，即创建由存储元器件堆栈而成的硅柱，垂直穿越电极材料层，并利用共享的外围电路。
这些硅柱会插入到穿过一个堆栈式底层的孔中，其方式和建筑物中的支柱是一样的。东芝把它称为“一个由栅电极和绝缘体薄膜组成的多层三明治”。
这些硅柱的表面涂有一层涂层。栅电极以固定的间隔包围着硅柱，以及一个用于保存数据的预先制成的氮化物薄膜，并以一个硅氧化氮氧化硅（SONOS）结构置于每个接合处，作为一个NAND单元。
目前尚未有东芝官员发表评论，因此还不确认东芝会从何时开始将此技术投入商业化，以及采用怎样的密度，或者仍然面临着怎样的困难（例如读/写次数是否持久，性能是否能保持不变等等）。
SONOS结构问世已有数年，目前已经有摩托罗拉和Cypress Semiconductor等其它公司在采用，作为比一般浮栅结构更好的嵌入闪存的方法。
其它公司也都在开发类似SONOS的结构，以便为离散式NAND带来新生。商品化存储器已经是便携式多媒体设备存储数据的关键成分，并打进了原本由硬盘统治的大型存储设备市场。为了保持它在这些市场中的发展和生存，需要密度更高的设备，而这意味着要在设备结构上进行改变。
去年9月三星发布了一种与SONOS类似的结构，名为电荷撷取闪存（CTF）。三星的CTF NAND芯片应该比传统的闪存更可靠，因为它减少了会加大数据读取难度的单元间干扰。
三星将这整个结构称为Tanos, 它由钽（一种金属）、氧化铝（一种高K材料）、氮化物、氧化物和硅层组成。Tanos结构标志着与NAND设备中高k材料结合的金属层的初次应用。三星表示，它的TFT技术将让使其更为容易地将NAND扩展到30纳米甚至20纳米，这将带来一款256G的芯片。
在三星发布Tanos后仅过了数个月，中国台湾的Macronix International公司也表示已经准备好测试其Bandgap Engineered SONOS （BE-SONOS）。该公司将于今年制作一款2G的测试芯片，并预计到2010年其45纳米技术将会开始商业化。
东芝表示，它的新方法将能大大提高密度，而不会扩大芯片的占位面积，因为该阵列是垂直堆栈的。比如，一个32层堆栈的集成度可以达到采用同样技术的标准芯片集成度的10倍。
