安森美推出HighQ硅-铜集成无源器件制造工艺

     半导体方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，ONSemi)宣布，将其制造工艺技术扩大到HighQ硅-铜集成无源器件(IPD)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比，这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低，性能更高。 
工艺 
     HighQ制造工艺制造出铜镀层厚实的电感器、MIM电容器(0.62fF/um2)以及TiN电阻器(9ohms/square)，工艺成熟，将满足全部可靠性评估标准，显示了该方案的稳健。 
加工温度-65℃/150℃ 
    金属、Vias和MIM电容器上固有的稳定性 
    高温反位相(Op)寿命(150℃, 504小时) 
    额定ESD：HBM，MM
    IPD产品 
    HighQ制造工艺可用于不平衡变换器、滤波器和滤波器/耦合器等便携和无线应用产品。安森美半导体目前正在开发   HighQ高带宽滤波器系列，用于在高速串行接口上降低电磁干扰(EMI)。样品将于今年夏季推出，计划在第四季度生产。 
IPD设计工具 
    安森美半导体为制造服务的客户提供用于IPD技术的设计组件，能够有效仿真的第一硅方案结果，并包含标准的         Cadence设计工具： 
    PCELL生产器、Views等； 
    Cadence Assura DRC、LVS； 
    带有安捷伦ADS模型的Cadence RFDE环境； 
   从布局到HFSS仿真环境全自动转化
   安森美半导体为潜在客户提供这套设计组件，帮助他们进行快速的建立原型。