安森美半导体宣布，将其先进的制造工艺技术扩大到HighQ™硅-铜集成无源器件(IPD)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比，这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低，性能更高。
安森美半导体的HighQ™ IPD工艺技术是诸如不平衡变换器、耦合器和滤波器等无源器件制造的理想选择。对于便携和无线应用，高性能等于延长电池寿命。
安森美半导体制造服务总经理Rich Carruth说：“目前，为了向市场推出具有价格竞争力的电子消费品，设计人员在为板选择无源器件时只好牺牲性能。以砷化镓-金工艺制造的无源器件提供较好的性能，但是过高的总体制造成本限制了其用于手机和其他无线产品。而典型的硅-铜工艺制造的无源器件比砷化镓无源器件制造成本低，只是性能稍逊。采用安森美半导体HighQ™工艺制造的无源器件，为设计人员提供具价值的第三个选择——比普通硅-铜器件的Q值高，比砷化镓无源器件更具价格优势。”
工艺
位于美国的世界级安森美半导体200 mm制造厂采用的是IPD工艺。该厂具世界一流水平的原型和生产周期，高科技产品生产和故障分析设备和系统。
HighQ™制造工艺制造出铜镀层厚实的电感器、MIM 电容器(0.62 fF/um2) 以及 TiN 电阻器
(9 ohms/square)，工艺成熟，将满足全部可靠性评估标准，显示了该方案的稳健。
• 加工温度-65°C/150°C
• 金属、Vias 和 MIM电容器上固有的稳定性
• 高温反位相（Op）寿命(150°C, 504 小时)
• 额定ESD：HBM, MM
