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集邦:DRAM下季合约价将反弹17%

    集邦科技(DRAMeXchange)昨举办年度研讨会,对于下半年DRAM价格走势,集邦科技提出乐观看法,预期随着下半年市场需求成长,第三季DRAM合约价可望反弹17%,第四季可望进一步扬升12%;另外,NAND Flash下半年价格止稳。

  集邦科技表示,12寸厂是今年DRAM主要产出的来源,估计今年来将自于12寸厂投片的DRAM,将成长70% 以上水平,占整体DRAM产出比重也将由去年的57%,拉升至70%。

  由于目前8寸厂产出仍达一定比例,因此集邦估计,DRAM厂512Mb颗粒每颗成本仍在2.6美元以上,即使旺季需求如预期成长,价格反弹至2美元以上水位,DRAM厂面临亏损压力仍在。

  集邦科技表示,目前DRAM价格仍处于打底的阶段,预料7月南韩大厂将部分产能移出生产其它内存产品,预料在供给减少下,7月DRAM价格较有机会反弹,但由于产能增加快速,预料整体市况仍是小幅供过于求。

  集邦并预料今年12寸产能成长73%,下半年70奈米制程的1Gb颗粒将逐渐增加,将在2008年成为主流;而主机的内存搭载量,2G的比例增加到40%。

  此外,力晶半导体(5346)产品策略副总博王其国博士应邀研讨会演讲指出,8寸厂在缺乏后续设备支持,以及产出效能低于12寸厂的情形下,若以512Mb作为基准,8寸厂的产出比重将由2007年的24.3%下降至2008年的17.3%。各DRAM厂除了提升12寸厂之生产效率外,为8寸厂寻求标准型内存以外的出路,也是当务之急。

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