东洋纺开发出线膨胀系数与硅芯片相同薄膜

    东洋纺在“jpcashow2007”（2007年5月30日～6月1日，东京有明国际会展中心）上，展出了线膨胀系数与硅芯片相同的聚酰亚胺薄膜“zenomax”。

    原来的聚酰亚胺薄膜的线膨胀系数为20～30ppm/℃，而新开发的产品则与硅片相同，仅为3ppm/℃。因此，由温度变化导致的硅芯片与聚酰亚胺之间的剥离就不易产生，东洋纺认为可将聚酰亚胺作为封装底板使用。

    zenomax还具有高耐热性特点。原来的聚酰亚胺的耐热温度为350℃，而此次开发的产品为500℃。

    该薄膜是通过将该公司的核心技术——耐热聚合物合成技术与薄膜制膜技术的相互融合实现的。为了实现与硅芯片相同的线膨胀系数，通过对单体材料实施某种特殊处理进行了聚合。可制造的薄膜厚度在5μm以上。

    开发产品的目标是替代积层多层板、新一代半导体封装的绝缘材料，乃至陶瓷底板。另外，东洋纺认为，此次的薄膜还可应用于配备有加热器的底板等在高温下使用的底板。该公司打算在1～2年内向市场投放产品。