三星近日表示，他们首先开发出了16Gbit的NAND型闪存芯片。该芯片使用了50纳米制程，它在这场闪存密度竞赛中，创下了一个新记录，令32GByte的闪存卡的出现成为了可能。
得到了苹果iPod nano的生意以及占据了NAND型闪存全球55％的市场份额之后，三星现在在闪存领域上正扮演着一个强大无比的角色。然而，该公司仍然保持着其极具侵略性步调，以期占据更多的市场份额。三星16Gbit的NAND型闪存芯片的出现，正是这一策略的又一产物。
据三星表示，这块指甲大的闪存芯片中每bit存储单元的尺寸，比60纳米制程的8Gbit闪存芯片中的要小25％：其每个储存单元的面积只有0.00625平方微米，每块芯片中共有164亿功能晶体管。将16个该芯片摆在一起即可生产出容量高达32GB的闪存卡，这个容量相当于存储200年每天40页对开的报纸，或者8000首MP3，或者32小时DVD质量电影。
该公司的这份声明，不但对其它闪存公司造成了压力，对微型硬盘的制造商也是如此。iPod mini被iPod nano所取代，意味三星真的是想把微型硬盘赶出5GB以下的领域。
