三星电子6日表示，已成功开发出全球容量最大的手机用缓冲存储器－256Mb UtRAM（Uni-Transistor RAM），将在本月开始供应样品给主要的手机业者，并计划自今年年底开始量产。
UtRAM为三星电子自行定义的商品名，业界一般称之为Pseudo SRAM。
过去业界主要系以低功率SRAM做为手机的缓冲存储器，然受限于其Cell构造（需要6个Transistor），芯片体积大，容量难以扩大，以致在需求大容量的新一代Mobile产品上，业界多以较SRAM容量更大的Pseudo SRAM做为缓冲存储器。
特别是在3G手机等先进Mobile产品方面，为处理3D Graphic，更需要128Mb以上的大容量缓冲存储器。而三星电子此次开发的256Mb UtRAM，将可有效解决此一问题。
到目前为止，三星电子推出的SRAM与UtRAM（72Mb SRAM与128Mb UtRAM），均为业界容量最大者。
三星电子此次推出的256Mb UtRAM，其工作电压为1.8V，动作速度达266Mbps，较既有产品快1.7倍。
三星电子相关人员表示，由于此一UtRAM同时支持SRAM与闪存架构芯片组，预期未来将有机会成为手机用缓冲存储器市场的主力产品。
另外，根据Dataquest的预估，2008年时全球Pseudo SRAM市场规模将达近逼整体SRAM市场的24亿美元，并维持年均33％的高增长。
