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IR D类音频功放用 MOSFET

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)为中等功率的D类音频放大器推出IRF6665 DirectFET™ MOSFET。此款设计旨在改进音频器件的效率、总谐波失真(THD)、功率密度等性能。D类放大器应用广泛,从电池驱动的便携式产品到高端的专业级放大器,从乐器到汽车和家庭多媒体系统均能适用。

在针对应用专门优化的硅片上,IR的DirectFET™封装技术通过降低引线电感提高了D类音频放大器的性能,进而改善开关性能、降低电磁噪声。由于效率提升,无需散热器即可在8欧阻抗上运行100W功率。散热器的免除减少了电路面积和体积,设计布局更灵活,放大器成本也更低。

决定D类音频性能的重要MOSFET参数包括器件导通电阻RDS(on)和栅电荷Qg,这两者决定放大器效率。

IR中国及香港销售总监严国富表示:“IR在同步整流和功率MOSFET开关电路上的专业技术适用于D类音频拓扑。综合了IR独特的DirectFET封装和特殊应用器件参数后, D类音频性能封套将具备更高效率,更完善的EMI和更佳功率密度。”

产品

型号

封装

BVDSS(V)

RDS(on) typ @10V(mOhm)

ID @ Tc=25ºC(A)

QG typ.(nC)

QSW typ.(nC)

IRF6665

DirectFET™

100

51

19

8

3.5

IRF6665 D类音频DirectFET™ MOSFET 现已供货。



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