安森美半导体（ON Semiconductor）推出八款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET，进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻（RDS(on)），整体电源电路效率比其它同类封装的解决方案提高30%。
新器件为小信号、20伏（V）MOSFET，特别适用于-430毫安（mA）至-950 mA的应用，如功率负载开关、电源转换器电路以及手机、数码相机、PDA、寻呼机、媒体播放器和便携式GPS系统中的电池管理等。这些新型的低压MOSFET采用安森美半导体的沟道技术，增大了沟道长度和等效沟道密度。RDS(on)比目前同类封装的MOSFET降低60％，可导通更大电流。
安森美半导体的沟道MOSFET有三种微小（1.6mm×1.6mm）薄型（0.6mm至1.0mm）封装选择，节约了宝贵的板空间。因MOSFET极易受到静电放电（ESD）的损害，且封装越小，受ESD损害的可能性越大，安森美半导体所以将齐纳二极管集成至沟道MOSFET门，提供优异的ESD保护。总之，这些封装、性能和集成度的改进进一步简化整体板设计并腾出额外的板空间。
- NTA4151PT1，NTE4151PT1，NTZS3151PT1和NTZD3152PT1：用于达850 mA高端负载开关的P沟道MOSFET。提供单模式和双模式。
- NTA4153NT1，NTE4153NT1 和NTZD3154NT1：用于高达915 mA低端负载开关的N沟道MOSFET。提供单模式和双模式。
- NTZD3155CT1：互补N沟道和P沟道的组合，用于集成负载开关或小电流直流至直流转换。
每个器件有三种薄型的1.6mm×1.6mm封装。六引脚高度0.6mm的SOT-563和三引脚高度0.8MM的 SC-89为扁平引脚封装。三引脚高度1.0mm的SC-75为鸥翼式器件。扁平引脚封装与业内标准的鸥翼式封装相比，具有额外的热性能，并使高度得到改进。
新器件每10,000件的批量单价在0.10美元至0.12美元之间。
