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自1989年召开第一届全国MOCVD会议至今已过了16个年头，几经轮回，第九届全国MOCVD会议又回到了第一届会议举行的地点-安徽黄山。地点虽然依旧，但我国的MOCVD研究工作却发生了翻天覆地的变化。参会单位从最初的十多家发展到七十多家，参会人数也从最初的30多人发展到200多人，日本、新加坡、台湾和香港的多家研究机构和院校也前来参加会议，使该次会议成为颇具规模和影响的全国性专业学术会议。
本届会议较前几届会议不仅规模大得多，而且投寄的论文数也为历届之最，包括企业报告在内超过160篇，论文所涉及的内容更为广泛，同时还有不少创新性的工作。这一现象充分反映了我国MOCVD工作近年来取得的巨大进展，显示了广大MOCVD工作者对我国的科研和产业发展所做出的贡献。
每两年召开一次的MOCVD会议为全国从事MOCVD工作的人员提供了相互了解和交流的机会，通过编辑会议论文用以展示我国在这一领域的新进展和新成就，探讨急需解决的问题和将来的发展方向，促进相关产业与研究机构的联系和沟通。但因为篇幅所限，本论文集中只能登载会议论文的摘要。毫无疑问，这本文集并不能充分反映研究人员在MOCVD工作中所付出的努力和取得的成果。我们只是希望能它能为广大科研工作者起到相互交流的桥梁作用。
国家自然科学基金委员会，科技部，信息产业部，中国科学院等历来对我国的MOCVD研究工作都给以高度的关注和支持，是我国MOCVD事业得以发展的重要原因，本次会议也都派人前来参加。我们借此机会表示由衷的感谢。
E- 大会报告
E-1 MOVPE GROWTH AND OPTICAL CHARACTERIZATIONOF InGaAsN/GaAs QUANTUM WELLS K. Onabe, S. Sanorpim, F. Nakajima and R. Katayama 1
E-2 生产型MOCVD设备的国产化进展 焦春美,刘祥林
E-3 宽禁带半导体的硅基异质外延及其光电特性 傅竹西
E-4 Metalorganic Chemical Vapor Deposition and Optical / Structural Investigation of GaN-based Materials and Structures Zhe Chuan FENG (馮哲川)
E-5 MOCVD生长GaN和ZnO半导体材料 江风益,方文卿,刘和初,王立,蒲勇,莫春兰,熊传兵
E-6 p型AlGaN材料表面特性研究
罗毅,邵嘉平,韩彦军,江洋,李洪涛,席广义,汪莱,孙长征,郝智彪
E-7 GaN on Si (111) grown with periodic silane burst S. J. Chua, K. Y. Zang and L. S. Wang
E-8 ealization of intrinsic p-type ZnO thin films grown by metal-organic chemical vapor deposition X. W. Sun
E-9 MOCVD growth of ordered quasi-one-dimensional II-VI nanostructures
S.K Hark, X.T. Zhang, Z. Liu, C.X. Shan, and Quan Li
E-10 基于GaAs 的空间太阳电池的应用与研究现状 陈文浚
E-11 Gas Phase Chemistry of Organometallics and NH3 and its Effect on AlGaN Growth at Atmospheric Pressure
Koh Matsumoto,Akinori Ubukata, Yoshiki Yano, Hiroki Tokunaga, Kazutada Ikenaga, Nakao Akutsu, Akira Yamaguchi, Toshiaki Yamazaki and Akitomo Tachibana
E-12 以硅为衬底和一个电极的有机电致发光
秦国刚,冉广照,乔永平,马国立,徐愛国,张伯蕊
E-13 III-V nitride base MOS Ching-Ting Lee
E-14 GaN基MOCVD生长从实验室到产业化 陈弘,周均铭
E-15 MOCVD Research at the Hong Kong University of Science and Technology (HKUST)
Kei May Lau
E-16 Uncooled InAsSb Long-Wavelength (3-12μm) Infrared Photo-detectors on 3”-GaAs/Si Substrates Grown by MOCVD Techniques James Xu, Yaqian Gong, Junhao Chu
E-17 In-situ Metrology for Production of MOCVD-grown GaN-based Materials
M. Belousov, B. Volf, J.C. Ramer, E.A. Armour, and A. Gurary
E-18 IMPORTANT ASPECTS FOR THE GROWTH OF GAN-BASED (OPTO)ELECTRONIC DEVICES ON 4 INCH SAPPHIRE
B. SCHINELLER, O. SCHOEN, A. ALAM, M. LUENENBUERGER, R. BECCARD, J. KAEPPELER, M. HEUKEN, AIXTRON AG, Kackertstr.
F-分会报告
F-1 金属β －二酮螯合物源的MOCVD 孟广耀,彭定坤
F-2 高纯1,1- 二甲基肼的研制 潘毅,朱春生,虞磊,曹季
F-3 无掩膜横向外延生长GaN薄膜
修向前, 陈琳, 张荣, 谢自力, 刘斌, 李亮, 韩平, 顾书林, 施毅, 郑有斗
F-4 氮化物衬底材料的研究和发展 徐军,周圣明,夏长泰,徐科
F-5 GaN基HEMT研究进展 王晓亮
F-6 AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气的输运性质 沈波
F-7 MOCVD法制备金属—陶瓷功能梯度材料的研究 章娴君,郑慧雯,张庆熙,王显祥
F-8 MOCVD法在蓝宝石衬底上外延生长ZnO薄膜
叶志镇,徐伟中,江柳,曾煜嘉,朱丽萍,赵炳辉
F-9 p型ZnO薄膜的MOCVD法生长及特性研究
杜国同，马艳，张源涛，杨天鹏，刘维峰，崔勇国
F-10 MOVPE用磷、砷源的进展 陆大成,段树坤
F-11 Ⅵ/Ⅱ族比率对MOVPE生长的碲镉汞薄膜形貌的影响 杨玉林,宋炳文,姬荣斌
F-12 Si基异质外延ZnO单晶薄膜的生长研究 朱俊杰，姚然，朱拉拉，林碧霞，傅竹西
A- 分会交流
A-1 模糊预测PID控制在MOCVD温度控制系统中的方法研究 过润秋,赵恒,杜凯
A-2 WinCC 在MOCVD监控系统中的应用 过润秋 冯兰胜
A-3 MOCVD系统的控制策略与编程技巧 过润秋,杜凯,赵恒
A-4 OCVD控制系统设计 过润秋,解宝辉,冯兰胜
A-5 MOCVD设备中一些辅助装置 董向芸,刘祥林,焦春美,丛光伟
A-6 行星式MOCVD反应器内部流动、传热和传质的数值模拟研究 张红,左然,徐谦
A-7 反向流动垂直喷淋式MOCVD反应器设计与数值模拟 徐谦,左然,张红
A-8 MOCVD设备集散控制系统设计与实现 魏鸿源,刘祥林,蒋全,焦春美,丛光伟
A-9 氧化物MOCVD的设计关键与实现 丛光伟,魏洪源,刘祥林,董向芸,焦春美,王占国
A-10 全自动ZnO-MOCVD系统 蒲勇,王立,周军华,戴江南,苏红波,江风益
A-11 行星式GaN-MOCVD反应室流场的CFD数值仿真 刘奕,陈海昕,高立华,符松
A-12 用于GaAs系材料生长的MOCVD设备的研制
王晓晖，陈诺夫，陆大成，吴金良，陈晨龙，董毅
A-13 研型氮化镓基材料外延生长MOCVD设备 张国华,梁莉萍
A-14 脉冲液相输入的准分子紫外光诱导光化学气相淀积 王祖敏，陈明亮，张俊颖
A-15 新颖的复合CVD技术制备SOFC单电池 高建峰，孟广耀
A-16 紫外光化学气相沉积生长Al2O3薄膜 王祖敏，陈明亮，张俊颖
A-17 立式高真空MOCVD装置及GaN外延生长 叶志镇,朱丽萍,赵炳辉,唐海平,洪炜
A-18 国产MO源的规模化生产技术 徐昕,陈化冰,包维军,孙祥祯
A-19 纯三甲基铟规模化生产技术 陈化冰,徐昕,孙明璐,孙祥祯
A-20 A NEW SERIES OF MONOPHOSPHINE COORDINATED SILVER CARBOXYLATES
Jianlin Han, Yingzhong Shen, Chunxiang Li, Yizhi Li, Yi Pan
A-21 PHOSPHINE COORDINATED SILVER ?,? -UNSATURATED CARBOXYLATES
Jianlin Han, Yingzhong Shen, Chunxiang Li, Yizhi Li, Yi Pan
A-22 光纤用高纯四氯化锗的纯度分析 虞磊,赵蕾,吕宝源,潘毅
A-23 有机铜源的研制 计燕秋,裴凯
A-24 高纯超净氨中的杂质检测 张琳,江波
A-25 高纯三氯化硼制备方法 申家善,张蕊
A-26 Ⅲ-Ⅴ化合物半导体特种气体 赵毅
A-27 六氟化钨的合成 张琳,姜宏军
A-28 甲基环戊二烯基镁的合成 裴凯,王勇平
A-29 甲基环戊二烯基三羰基锰 江波,安华
A-30 高纯异丙氧基锆的研制 裴凯,安华
A-31 MOCVD前驱物M(DPM)3(M=Fe、Co)的制备和表征
王艳艳,姜银珠,刘铭飞,高建峰,孟广耀
A-32 热式质量流量控制器的原理 吴英
B-分会交流
B-1 InGaN/GaN多量子阱的结构和发光特性研究
陈志忠，秦志新，童玉珍，杨志坚，陆曙，于彤军，胡晓东，吴铭坊，张国义
B-2 用MOCVD－HVPE复合设备在硅衬底上生长厚膜GaN衬底材料
于英仪,刘祥林,焦春美,赵凤嫒,董向芸
B-3 Si基外延GaN中缺陷的湿法腐蚀 赵丽伟,孙世龙,郝秋艳,滕晓云,王海云,刘彩池
B-4 Si(111)外延GaN表面凹坑的形成机理研究 朱军山,徐岳生,刘彩池,王海云
B-5 Passivated the Surface of InAlGaP/GaAs MSM-PDs Using the Photoelectrochemical Oxidation Method Hsin Ying Lee and Ching Ting Lee
B-6 过渡层结构和生长工艺条件对Si基GaN的影响
冯玉春,胡加辉,张建宝,王文欣,朱军山,杨建文,郭宝平
B-7 MOCVD外延生长高阻GaN深能级研究
方测宝,王晓亮,王军喜,刘超,王翠梅,胡国新,李建平,李成基
B-8 一种新颖的GaN纳米结构——GaN纳米尖三棱锥的合成
戴伦,刘仕峰 ,傅竹西 ,尤力平 ,朱俊杰 ,林碧霞 ,张纪才,秦国刚
B-9 硅δ掺杂对GaN中不同类型位错的影响
潘尧波,杨志坚,陈志涛,陆羽,胡成余,于彤军,胡晓东,张国义
B-10 在MOCVD系统中用预淀积In纳米点合成生长InN
谢自力，张荣，修向前，毕朝霞，刘斌，韩平，顾书林，施毅，郑有炓
B-11 限制GaAs/Ge活性结效应和制备非活性GaAs/Ge太阳电池的技术研究
杜福生,肖志斌,孙强,陈文浚,刘燕,徐寿岩,孙彦铮,刘春明
B-12 Ge基MOCVD太阳能单结电池材料 黄子乾,张岚,李肖,王向武
B-13 MEE法生长AlN的晶体极性选择以及对GaN外延膜极性的影响
徐科，曹冰，徐军，章蓓，杨志坚，沈波，张国义，吉川明彦
B-14 GaN-基紫光LED光功率的测量及可靠性的研究
商树萍,于彤军,陈志忠,秦志新,林亮,杨志坚,胡晓东,张国义
B-15 GaN在低压MOCVD生长模式的实时观察和控制
曹冰,徐科,徐军,章蓓,沈波,张国义,吉川明彦
B-16 MOCVD法生长的P-GaN的Mg离子注入及退火研究
罗浩俊,胡成余,姚淑德,秦志新,沈波,张国义
B-17 大功率GaN基倒装焊UV-LED的反射电极的研究
张敬东,于彤军,杨志坚,阎和平,张宁,穆森,张国义
B-18 Cu衬底上的GaN基紫光激光器的制备 李倜,康香宁,包魁,陈为华,章蓓,胡晓东
B-19 激光剥离对GaN基薄膜性质的影响
陈伟华，胡晓东，康香宁，聂瑞娟，张小平，张振生，杨志坚，张国义
B-20 LP—MOCVD生长InxGa1-xAs晶格失配的薄膜及其结构的分析
张铁民,金亿鑫,缪国庆,王辉,吕文辉,李志明,赵海峰,蒋红,宋航
B-21 非致冷InGaAs/InP红外探测器研究
缪国庆,金亿鑫,殷景志,张铁民,蒋红,宋航
B-22 InAsSb材料低压mocvd生长
汪韬,王一丁,赛小锋,殷景致,李晓婷,杨树人,王警卫,高鸿楷
B-23 InGaAs应变量子阱大功率半导体激光器材料 杨红伟,刘英斌,赵润,陈宏泰
B-24 InGaAlN四元材料生长及物性研究 刘祥林,黎大兵
B-25 MOCVD生长AlGaN/AlN/GaN HEMT结构材料
王翠梅,王晓亮,胡国新,王军喜,冉军学,方测宝,李建平
B-26 AlGaN/GaN HBT发射极帽层中缺陷的研究? 冉军学,王晓亮,胡国新,李建平
B-27 MOCVD生长InxGa1-xN薄膜的与表征
李亮,张荣,谢自力,刘斌,修向前,陈琳,韩平,顾书林,施毅,郑有斗
B-28 四结级联太阳电池用InGaAsN材料的初步研究 乔在祥,陈文浚
B-29 基于AlInGaAsP材料的应力平衡量子阱太阳能电池 孙强,许军,陈文浚,娄朝刚
B-30 High-resolution X-ray study of the AlGaN/GaN superlattices grown by Metalorganic Chemical vapor Depostion Lu yu, zhijian Yang, Xu ke, yaobo Pan, Zhang Pei, Zhang guoyi
B-31 MOCVD-InAs/GaSb DBR结构材料的特性研究 蒋红,金亿鑫,宋航,缪国庆
B-32 InAs/GaSb外延层的LP-MOCVD生长研究
赛小锋,王警卫,王一丁,汪韬,杨树人,李晓婷,殷景致,高鸿楷
B-33 SiCl4在GaN/AlGaN超晶格RIE刻蚀中作用的初步研究
李睿,徐科,胡晓东,王琦,章蓓,张国义
B-34 InN材料的制备与表征 张荣,谢自力,刘斌,韩平,江若琏,郑有炓
B-35 高亮度AlGaInP LED中的AlAs/AlGaAs DBR结构性能分析
李树强，夏伟，马德营，张新，任忠祥，徐现刚
B-36 硅衬底上生长氮化镓的研究 刘祥林 陆沅
C-分会交流
C-1 ZnO MOCVD的生长与表征 顾书林,朱顺明,叶建东,郑有炓,张荣,施毅,杭寅
C-2 ZnO MOCVD生长的计算机模拟
刘松民,顾书林,朱顺明,叶建东,刘伟,周昕,郑有炓,张荣,施毅
C-3 采用MOCVD方法在P型Si衬底上生长ZnO薄膜
张源涛，崔勇国，朱慧超，张宝林，杜国同
C-4 用等离子体辅助的金属有机化学气相沉积方法制备ZnS纳米棒阵列
冯秋菊,申德振,张吉英,吕有明,范希武
C-5 在GaAs衬底上用MOCVD法生长ZnO薄膜
崔勇国，朱慧超，张源涛，张宝林，杜国同
C-6 MOCVD ZnO的湿法化学腐蚀研究
周昕,顾书林,朱顺明,叶建东,刘松民,刘伟,郑有炓,张荣,施毅
C-7 MOCVD法制备一维定向ZnO晶须阵列及掺杂研究 张雪川,张跃,王树彬
C-8 N/Ga共掺ZnO薄膜的生长与表征
刘伟,顾书林,朱顺明,叶建东,刘松民,周昕,郑有炓,张荣,施毅
C-9 P掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与退火研究
叶建东,顾书林,朱顺明,刘松民,刘伟,周昕,郑有炓,张荣,施毅
C-10 ZnO 薄膜的制备和特性研究 张希清,王晶,姚志刚,商红凯,Z. K. Tang
C-11 ZnO薄膜的结构和光学特性研究 苏凤莲，周圣明，徐军
C-12 衬底预处理对MOCVD法生长ZnO薄膜的影响
王银珍,刘红霞,李抒智,刘世良,邹军,周圣明,徐军
C-13 MOCVD法生长的ZnO外延膜在不同膜厚处结构性能的变化规律
侯长民,黄科科,冯守华,高忠民,李向山,杜国同,马艳,张源涛
C-14 OCVD法生长的ZnO薄膜生长条件对薄膜结晶取向的影响
侯长民,黄科科,冯守华,高忠民,李向山,杜国同,张源涛,马艳
C-15 Metalorganic Chemical Vapor Deposition and Characterization of ZnO Materials
Shangzhu Sun and Gary S. Tompa Jyun-bi Wang, Hsuan Hao Liu and Zhe Chuan Feng
C-16 Catalytic growth and photoluminescence properties of ZnS nanostructures
陈翌庆，苏勇，姜晶，何照元
C-17 MOCVD制备大面积非晶硅薄膜太阳电池的氧化锌背电极的研究
徐步衡，薛俊明，刘金彪，赵颖，耿新华
C-18 Si 基片上Al2O3 过渡层对ZnO外延薄膜性质的影响
林碧霞,姚然,钟声,蔡俊江,傅竹西
C-19 MOCVD方法生长的ZnO/P-Si异质结的光电特性 刘磁辉,朱俊杰,林碧霞,傅竹西
C-20 载气总流量对MOCVD制备Si基ZnO薄膜的影响
朱俊杰，姚然，朱拉拉，林碧霞，苏剑峰，傅竹西
C-21 ZnO/SiC/Si异质结材料的制备及光电特性研究
段理，林碧霞，姚然，郑海务，张伟英，钟声，傅竹西
C-22 生长气氛与CH3COO-对ZnO薄膜室温光致发光的影响
孟祥东,林碧霞,顾白洁,朱俊杰,傅竹西
C-23 ZnO纳米薄膜和纳米棒的一种新颖的CVD制备方法
孟祥东,林碧霞,顾白洁,朱俊杰,傅竹西
C-24 RF预处理对ZnO/Si生长的影响
姚然，朱俊杰，钟声，朱拉拉，林碧霞，傅竹西
C-25 直流溅射缓冲层生长ZnO/Si薄膜
姚然，朱俊杰，段理，朱拉拉，林碧霞，傅竹西
C-26 A Study of Au/ZnO/Si Schottky-Emitter Heterojunction-Collector UV-Enhanced Phototransistor Xie Jiachun, Guo Junfu, Zhu Junjie, lin Bixia, Fu Zuxi
C-27 CdZnSe合金半导体纳米线的制备 张喜田,刘壮,单崇新,李泉,郝少康
C-28 对MOCVD生长的硒化锌纳米棒的形貌,晶体结构及其单根阴极致发光性质的研究
刘壮,张喜田,李泉,郝少康
C-29 OCVD方法制备立方相CdSe一维纳米结构 单崇新,刘壮,吴静雯,张喜田,郝少康
C-30 MOCVD法生长ZnO纳米线 叶志镇,徐伟中,江柳,曾煜嘉,朱丽萍、,赵炳辉
C-31 一种简单CVD方法生长ZnO薄膜过程分析及性能表征
边继明,李效民,赵俊亮,张灿云,于伟东,高相东
C-32 Photoluminescence and rectification characteristics of p-ZnO:N/n-Si junction
Y. C. Liu, C.S.Xu and D. Wang
C-33 ZnO/ZnMgO的多层量子结构的外延生长及其结构特性研究
张景文,徐庆安,杨晓东,侯洵
C-34 ZnO量子点的自组织外延生长及光电性研究 张景文,徐庆安,杨晓东,侯洵
C-35 金合金法实现ZnO外延薄膜的P型转化研究 张景文,王洪波,侯洵
C-36 基于Si衬底的Au-ZnO-Au UV增强光电探测器的研究
孙腾达，谢家纯*，段理，林碧霞，郭俊福，傅竹西
C-37 MOCVD生长的SiC过渡层对sol-gel法制备的ZnO的影响
张杨,郑海务,苏剑峰,林碧霞,傅竹西
C-38 氧化锌纳米材料的形貌控制及光学特性研究 郭林
D-分会交流
D-1 新型金属无机源－无水硝酸钛的制备及化学气相沉积
邵起越,李爱东,程进波,吴迪,刘治国,闵乃本
D-2 集成电路中MOCVD TiN薄膜制备工艺的研究 易万兵,张文杰,涂瑞能,毛杜立,邹世昌
D-3 MOCVD方法制备氧化钛薄膜的研究 李丽娜,张跃,谷景华
D-4 气溶胶MOCVD制备氧化钇稳定的氧化锆薄膜与表征
姜银珠,刘铭飞,高建峰,王艳艳,孟广耀
D-5 UVILS-CVD淀积TiO2薄膜 陈明亮,方启,张俊颖,王祖敏
D-6 单一混合固态源PE-MOCVD法制备YSZ薄膜及其表征
刘铭飞,姜银珠,高建峰,王艳艳,孟广耀
D-7 Study of boron incorporation in 4H-SiC layers grown by chemical vapor deposition Gao Xin (高欣), Sun Guo-Sheng (孙国胜), Li Jin-Min (李晋闽), Wang Lei (王雷), Zhao Wan-Shun (赵万顺), Zeng Yi-Ping (曾一平)
D-8 Homoepitaxial Growth of 4H-SiC and Ti/4H-SiC Schottky Barrier Diodes
Sun Guosheng（孙国胜）,Ning Jin（宁瑾）,Gao Xin（高欣），Gong Quancheng（攻全成）,Zhao Wanshun（赵万顺），Wang Lei（王雷），Zeng Yiping（曾一平），and Li Jinmin（李晋闽）
D-9 LPCVD Growth of 3C-SiC on Si Mesas and SiO2/Si Substrates for MEMS Applications
Sun Guosheng（孙国胜），Wang Lei（王雷），Zhao Wanshun（赵万顺），Gong Quancheng（攻全成）,Gao Xin（高欣），Zeng Yiping（曾一平），Li Jinmin（李晋闽）
D-10 超高温SiC同质外延薄膜CVD系统研制 朱长飞,张西庚 ,江国顺,汤洪高
D-11 Si(100)衬底上Ge1-xCx合金薄膜的CVD外延生长
李志兵,韩平,秦臻,韩甜甜,王荣华,鄢波,符凯,刘成祥,施毅,张荣,郑有炓
D-12 AlN/Si(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱
秦臻,韩平,韩甜甜,鄢波,李志兵,符凯,刘成祥,王荣华,张荣,郑有炓
D-13 3C-SiC/6H-SiC薄膜的变温电导测量研究 刘磁辉,郑海务,朱俊杰,林碧霞,傅竹西
D-14 蓝宝石衬底上6H -SiC薄膜的外延生长与表征
郑海务,林碧霞,朱俊杰,苏剑峰,傅竹西,李晓光
D-15 6H-SiC衬底上3C-SiC薄膜的生长与低温发光研究
郑海务,林碧霞,朱俊杰,姚然,傅竹西,李晓光
D-16 硅衬底碳化对异质外延SiC薄膜结构的影响 苏剑峰,郑海务,林碧霞,傅竹西
D-17 气氛对金属有机化学气相沉积铝酸镧栅介电薄膜的影响
李爱东,邵起越,程进波,凌惠琴,吴迪,刘治国,闵乃本
D-18 用MOCVD法制备软x射线多层膜 秦俊岭,易葵,邵建达
D-19 MOCVD方法合成铁薄膜及其结构和磁性的研究
刘可为,申德振,张吉英,冯秋菊,武晓杰,吕有明,范希武
D-20 用光辅助MOCVD制作巨磁阻薄膜PCMO 廖学明
D-21 型衬底材料?-LiAlO2晶体生长研究 邹军,周圣明,徐军,周国清,张连翰
D-22 Anisotropic Growth of Cu Chains on Anisotropic Pd (110) Substrate
Wu Feng-Min(吴锋民),Xu You-Sheng(许友生),Lin Ji(林机),Ye Gaoxiang(叶高翔)
D-23 含氟羟基磷灰石作为涂层材料在钛基体表面的涂覆
盛敏,马楚凡,赵康,陈永楠,井晓天
D-24 结合MOCVD和化学置换方法制备硒化银（Ag2Se）纳米棒
洪亮，单崇新，刘壮，郝少康
D-25 新型电致磷光材料的设计与合成 孙培培,李春香,潘毅
D-26 TiAl3/Ti/n-GaN非合金化欧姆接触机理的研究
胡成余,罗浩俊,秦志新,沈波,张国义
