截断
晶体从单晶炉里出来以后，到最终的晶圆会经历一系列的步骤。第一部是用锯子截掉头尾。
直径滚磨
在晶体生长过程中，整个晶体长度中直径有偏差（图3.14）。晶圆制造过程有各种各样的晶圆固定器和自动设备，需要严格的直径控制以减少晶圆翘曲和破碎。
直径滚磨是在一个无中心的滚磨机上进行的机械操作。机器滚磨晶体到合适的直径，无需用一个固定的中心点夹持晶体在车床型的滚磨机上。
晶体定向，电导率和电阻率检查
在晶体提交到下一步晶体准备前，必须要确定晶体是否达到定向和电阻率的规格要求。
晶体定向（图3.15）是由X射线衍射或平行光衍射来确定的。在两种方法中，晶体的一端都要被腐蚀或抛光以去除损伤层。下一步晶体被安放在衍射仪上，X射线或平行光反射晶体表面到成像板（X射线）或成像屏（平行光）。在成像板或成像屏上的图案显示晶体的晶面（晶向）。在图3.15显示的图案代表<100>晶向。
许多晶体生长时有意偏离重要的<100>和<100>晶面一点角度。这些偏晶向在晶圆制造过程中会带来很多好处，特别是在离子注入工艺中，原因会在工艺应用章中涉及到。
晶棒粘放在一个切割块上来保证晶圆从晶体正确的晶向切割。
由于晶体是经过掺杂的，一个重要的电学性能检查是导电类型（N或P）来保证使用了正确的掺杂物。热点探测仪连接到极性仪用来在晶体中产生空穴或电子（和类型相关），在极性仪上显示导电类型。
进入晶体的掺杂物的数量由电阻率测量来确定，使用四探针仪。见13章此测量技术的描述。在第2章（图2.7）讲到的曲线表示了电阻率和N型P型硅掺杂含量的关系。
由于在晶体生长工艺中掺杂量的变异，电阻率要延着晶体的轴向测量。这种变异导致晶圆进入几个电阻率规格范围。在后面的工序，晶圆将根据电阻率范围分组来达到客户的规格要求。
