背处理

在许多情况下，只是晶圆的正面经过充分的化学机械抛光。背面留下从粗糙或腐蚀到光亮的外观。对于某些器件的使用，背面可能会受到特殊的处理导致晶体缺陷，叫做背损伤。背损伤产生位错的生长辐射进入晶圆，这些位错起象是陷阱，俘获在制造工艺中引入的可移动金属离子污染。这个俘获现象又叫做吸杂（图3.22）。背面喷沙是一种标准的技术，其它的方法包括背面多晶层或氮化硅的淀积。