当模拟芯片设计师在其器件中采用绝 缘体上硅（SOI）衬底时，常常是为了扩充这些器件的高速性能。当您在位于（通常是）硅氧化物的某一深层之上的硅层中，而不是直接在晶圆的块硅上制造硅电路时，就可以减少或去除许多寄生元件，这些寄生元件是后一工艺的必然结果。凭借其面向运算放大器的VIP50工艺，NS正在另一个领域中利用上述好处，即采用SOI结构来制造精密放大器。该公司对“精密”一词的经验型定义是：在规定温度范围内的失调电压低于1mV。VIP50具有互补的4GHz PNP和NPN晶体管；一条直达SOI晶圆的SiO
2层的沟道对每个有源器件都进行了完全的电绝缘。除了大幅度地降低噪声和串扰之外，该结构还除去了会引起闭锁的寄生晶体管。VIP50可在12V的电压条件下工作，并采用分离型电源，以实现简单的偏置。该工艺支持可利用激光进行修整的精密电阻器，并采用了严密匹配、无电压系数效应的隔离电阻器。NS放大器产品组副总裁Erroll Dietz把这种工艺称为“模拟级CMOS”，并指出，它具有很低的1/f噪声，因而可在非常低的频率条件下（接近DC）实现更高的准确度。
该公司将采用相应工艺来制造几个运算放大器子系列、工作电流低于1mA的超低功耗放大器和比较器芯片以及针对2.7V~12V电压范围的精密器件。用于仪表前端的LMP7711便是一个实例。它具有200mV的失调电压，可在低至1.8V的电压条件下工作，提供了95dB的CMRR和100dB的PSRR，并在400Hz的频率条件下具有7nV/√Hz的噪声。在电流消耗刚刚超过1mA的情况下，其增益带宽乘积达到了17MHz。
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