静电键合又称场助键合、阳极键合[2]，它是Walis和Pomeranta于1969年提出[3]，现在已经是一项成熟的工艺技术，可以将玻璃与金属、合金或半导体等材料键合在一起，不需要任何粘合剂，而且键合温度低，键合界面牢固，长期稳定相好，大量应用于MEMS工艺中的密封腔制备过程，可以制备压力传感器，密封器件的密封腔等。
静电键合装置非常简单，如图1.3所示，主要是带有温度控制的加热器和外加电场的直流电源和电极。硅片接直流电源的正极，玻璃接直流电源的负极，电压在500V~1000V之间，温度为300℃~500℃之间。在高温下，硅片的电阻率将因为本征激发而降低到0.1Ω•cm，其行为与金属相似；玻璃中的Na+离子在电场的作用下向负极漂移，在紧邻硅片的玻璃表面形成耗尽层，厚度为几个µm。耗尽层带有负电荷，硅片带正电荷，由于硅片和玻璃之间的间隙很小，二者之间形成了很大的静电引力，使二者紧密接触，如图1.4所示。当硅片和玻璃键合好时，外加电压就主要加在耗尽层，所以通过电流的变化就可以反映出键合的过程。刚加电压时，有一个较大的电流脉冲，然后电流减小，最后几乎为零，说明键合已经完成。静电键合过程中，静电引力起着非常重要的作用。
图1.4 阳极键合原理图
另外，在比较高的温度下，紧密接触的硅-玻璃界面会发生化学反应形成牢固的化学键，如Si-O-Si键等。静电键合的硅-玻璃界面在高温-常温-高温循环，且受到与键合电压相反电压等各种情况下进行处理，实验发现[4]：（1）硅-玻璃静电键合界面牢固、稳定的关键是界面由足够的Si-O键形成；（2）施加反向电压后键合界面仍然牢固稳定。
影响静电键合的因素很多，主要有：（1）静电键合材料的热膨胀系数要匹配，否则在键合完成后的冷却过程中会因内部应力较大而碎裂。（2）阳极的形状影响键合效果。常用的有单点电极、多点电极（一般为三点）和平行板电极。（3）表面状况对键合力有很大影响，表面平整度和清洁度越高键合越容易；表面起伏越大，静电引力就越小，越不容易键合，并且键合质量差，键合接触面积小，键合强度低。
