MOS晶体管的平方律转移特性

将MOS晶体管的栅漏连接，因为VGS=VDS，所以，VDS>VGS-VTN， 导通的器件一定工作在饱和区。这时，晶体管的电流-电压特性应遵循饱和区的萨氏方程 IDS=KN/2·W/L·(VGS-VTN)2(1+λVDS)
即平方律关系。4种MOS晶体管的平方律转移特性如图所示，这样的连接方式在许多设计中被采用。